[Fundamental of Power Electronics]-PART I-4.開關實現-4.1 開關應用
4.1 開關應用 4.1.1 單象限開關 理想的SPST(Single pole single throw)開關如圖4.1所示。開關包含電源端子1和0，其電流和電壓極性如圖所示。在接通狀態下，電壓\(v\)為零，而在斷開狀態下電流\(i\)為零。有時在第三端子\(C\)處施加控制信號 ...
原文：[Fundamental of Power Electronics]-PART I-4.開關實現-4.2 功率半導體器件概述
. 功率半導體器件概述 功率半導體設計中最根本的挑戰是獲得高擊穿電壓，同時保持低正向壓降和導通電阻。一個密切相關的問題是高壓低導通電阻器件的開關時間更長。擊穿電壓，導通電阻和開關時間之間的折衷是各種功率器件的關鍵區別特征。 反向偏置的PN結及其相關的耗盡區的擊穿電壓是摻雜程度的函數：在PN結的至少一側的材料中，獲得高擊穿電壓需要低摻雜濃度，從而導致高電阻率。該高電阻率區域通常是設備導通電阻的主要 ...
2020-10-07 19:51 0 450 推薦指數：
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