本節我們來學習stm32內部flash的讀寫。在某些應用中，我們需要保存少量掉電仍然不丟失的數據，而在電路板上額外增加一塊eeprom或者flash又太浪費硬件資源，這時我們就可以把這些數據保存在stm32內部的flash里。
1）stm32內部flash簡介
我們先來了解一下stm32內部的存儲結構，如下圖所示：
stm32的復位地址是從0x0000 0000開始。
flash地址起始於0x0800 0000，結束地址是0x0800 0000加上芯片實際的flash大小，不同的芯片flash大小不同；程序存儲在這個區域，stm32芯片會自動將0x0800 0000與0x0000 0000映射，所以，軟件編譯生成的目標文件燒寫到這個區域，復位之后就可以執行。
RAM起始地址是0x2000 0000，結束地址是0x2000 0000加上芯片的RAM大小，不同的芯片RAM也不同。
如keil中生成的配置，stm32芯片的flash（ROM）是從0x08000000開始的，RAM是從0x20000000開始的，選擇不用芯片時，大小是不同的：
Stm32芯片燒寫時，就是將軟件編譯生成的目標代碼，燒寫到0x08000000地址起始的flash中，如果目標代碼小於芯片flash的容量，則最后一段flash就是空閑的。這一段空閑區域就可以用來存儲用戶的數據，實現掉電不丟失。
2）stm32內部flash的使用
我們仍然以串口的工程為基礎，低功耗模式本身不需要特殊設置，生成HAL庫工程文件時都會自帶，直接使用串口工程即可。
先定義幾個宏，用於指定分配給用戶讀寫flash的區域：
主要是定義用戶flash的起始地址、結束地址、可用頁數（這里使用的芯片是stm32f103c8t6，內部flash總共64k，每頁為1k，把最末尾的2頁分配給用戶使用）。
編寫代碼，先看讀取flash的代碼：
這個函數實現從用戶flash起始地址讀取num個32bit的數，放在DATA_32區域中；讀取flash的過程，本質上是把要讀取的flash地址轉換為指針，然后獲取該指針指向的數據。
再來看寫入flash的函數，實現把DATA_32區域中的num個32bit的數據寫入到用戶存儲區。
這個函數主要分兩部分，擦除和寫入；在擦除和寫入前，為了保護flash不被誤操作，還需要解鎖flash；在擦除和寫入后，需要重新給flash上鎖：
函數內部的調用解鎖、擦除、寫入、上鎖各個函數都是HAL庫提供的，使用很方便。
主函數中，我們添加測試代碼，循環擦除、寫入、再讀取打印，每次寫入的數據都是上次讀出的數據加1：
運行結果如下圖：
可以看到，讀出的數據是正確的。
3）stm32內部flash讀寫的注意事項
使用內部flash需要注意幾點：
a）0x08000000起始的一段已被程序占用，用戶區域最好從flash區的末尾使用，不能與已使用的部分沖突；由於程序也燒寫在flash區，用戶在擦寫flash時，如果操作不當會損壞固化的程序；所以用戶程序要謹慎處理；
b）Flash需要先擦除，再寫入；可以一次擦除，分若干次向不同的地址寫入；
c）Flash擦除的最小單位是頁，也就是每次一擦除，都會把擦除地址所在頁的整頁數據擦掉；
注意不同系列的stm32芯片，內部的flash分頁大小也不同：
小容量產品：主存儲塊1-32KB，每頁1KB
中容量產品：主存儲塊64-128KB，每頁1KB
大容量產品：主存儲塊256KB以上，每頁2KB
互聯型產品：主存儲塊256KB以上，每頁2KB
d）Flash擦除和寫入的速度慢，有的需要幾十ms，一般要留足時間，並且盡量不要被打斷；
e）Flash有擦寫次數限制，手冊中給的數據是1W次；讀取次數不限。
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