Flash 中文名字叫閃存，是一種長壽命的非易失性（斷電數據不丟失）的存儲器。可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。一個Nand Flash由多個塊(Block)組成，每個塊里面又包含很多頁(page)。每個頁對應一個空閑區域/冗余區域(spare area),這個區域不是用來存儲數據的，用於放置數據的校驗值檢測和糾錯的。塊，是Nand Flash的擦除操作的基本/最小單位。頁，是Nand Flash的寫入操作的基本/最小的單位。
首先簡要寫一下FLASH的讀寫流程：
對FLASH寫入數據
解鎖FLASH
擦除FLASH
寫入數據到FLASH
鎖住FLASH
FLASH讀取數據 （直接讀取相應的FLASH地址即可）
操作MCU里的Flash，還有幾個注意事項：
1、往Flash寫入數據的時候，要先對要寫入的頁進行擦除，如果要寫的頁里有數據，要先讀出來在緩存區，再把頁擦除，再寫入數據；在擦除頁之后，只要這次你寫的數據大小不夠一頁，可以連續寫入。
2、要計算好程序的內存，因為你的程序也是保存在MCU的Flash里的，如果你操作到保存着程序的內存，程序就會死掉，至於程序內存怎么看，你可以生成bin文件，bin文件的大小就是你程序所占內存的大小了，生成bin文件可以參考博客：https://www.cnblogs.com/xingboy/p/10818813.html；程序內存基本都是從Flash內存一開始存起的，這里以STM32Fo72c8t6舉例，如下圖。
看圖可以看出，這個芯片的Flash內存范圍是 0x0800 0000 ~ 0x0802 0000 ，假設我要燒錄進去的bin文件為10K，那我們操作Flash的時候，地址就要從 0x0800 0000 + (0x400*11) 開始，避開程序的存儲位置，Flash地址偏移1位就是1個字節。
3、要注意MCU一頁的大小，一些MCU一頁是1KB，一些MCU一頁是2KB
下面舉個例子寫入數據 0x0001 到Flash中：
uint16_t my_add = 0x0001;
uint32_t Robot_Num_Flash_Add = 0x08005000;
FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash; //聲明 FLASH_EraseInitTypeDef 結構體為 My_Flash HAL_FLASH_Unlock(); //解鎖Flash My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //標明Flash執行頁面只做擦除操作 My_Flash.PageAddress = Robot_Num_Flash_Add; //聲明要擦除的地址 My_Flash.NbPages = 1; //說明要擦除的頁數，此參數必須是Min_Data = 1和Max_Data =(最大頁數-初始頁的值)之間的值 uint32_t PageError = 0; //設置PageError,如果出現錯誤這個變量會被設置為出錯的FLASH地址 HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError); //調用擦除函數擦除 uint16_t Write_Flash_Data = my_add; HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD, Robot_Num_Flash_Add, Write_Flash_Data); //對Flash進行燒寫，FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD 聲明操作的Flash地址的16位的，此外還有32位跟64位的操作，自行翻查HAL庫的定義即可 HAL_FLASH_Lock(); //鎖住Flash
寫完之后，接着就到讀了，Flash寫有次數限制，寫的次數在1W次還是10W次（忘了）就不可寫入了，而讀是沒有次數限制的，讀多少次都可以，下面就把寫入到Flash里的數據 0x0001 讀出來
uint32_t Robot_Num_Flash_Add = 0x08005000;
ID_Num = *(__IO uint16_t*)( Robot_Num_Flash_Add ); //*(__IO uint16_t *)是讀取該地址的參數值,其值為16位數據,一次讀取兩個字節，*(__IO uint32_t *)就一次讀4個字節
printf("ID_num:0x%x\r\n", ID_Num);
經過上面的程序就可以實現 STM32 中 Flash 數據的讀寫了，具體怎么讀寫，每個案子不同，各位就可以根據需求去修改，只要注意好注意事項即可，代碼已經實測可用。