雖然考察范圍差不多是整本書，但我們學校只講到了第九章十章的樣子，先整理這部分，剩下的部分再看。
當然光這些東西也好難。。。
第一章 模擬電路設計緒論
一些基礎知識，首先是模擬電路的重要性。雖然數字電路運算能力強得多，大的模擬電路又不利於設計，但某些情景下模擬電路還是必不可少的。
比如對自然信號的采集時，需要利用放大器、濾波器、ADC等，有時對性能要求很高，需要很專業的設計。
比如數字通信，為了應對電纜的損耗，需使用多電平信號，仍要用到ADC和DAC
比如硬盤讀取時電平信號很小，噪聲影響會很大，需要濾波器。
比如無線接收器，需要高頻、低噪聲的濾波器和放大器。
比如光接收器，應用於光纖系統。
比如傳感器，有時需要的精度極高。
比如微處理器和存儲器，應對高速信號、寄生參數等等，需要利用模擬電路處理。“高速數字電路設計實際上是模擬電路的設計”
然后是研究CMOS電路的原因，CMOS上世紀六十年代問世，很快占領了數字電路市場。它的優點在於，只需要很少的元件以及只在開關瞬間消耗功率。此外，人們發現CMOS器件更容易按比例縮小，增加集成度，以及CMOS電路成本更低。
但在模擬領域，MOSFET與雙極性晶體管相比，缺點是速度相當慢，噪聲相當大，應用因此受限。但由於其器件能夠按比例縮小的優勢，提高了MOSFET的速度，已經可以和雙極性器件相比較了。目前幾GHz的模擬電路已經生產了。
魯棒性的概念：音譯自robust，強健的，堅固的，用來描述系統的性能時，表示系統在不同外界環境下（如溫度、外電壓）能夠保持正常工作的能力。
本章結束
第二章 MOS器件物理基礎
本章涉及到MOS器件的基本的特性、常見二級效應、以及MOS器件電容。
2.1 基本概念
mos結構，記住一些概念就可以：
襯底（bulk/body）
兩個重摻雜n區形成的源端（source）和漏端（drawn）
重摻雜（用以導電）的多晶硅構成的柵（poly）
一層薄SiO2使得柵與襯底隔離
柵長、柵寬、有效溝道長度、溝道總長度、橫向擴散長度、
柵氧化層厚度也是非常重要的參數
一般而言，管子的S、D都必須反偏，意味着NMOS的襯底要被連接到最低電壓上。通常利用一個P+歐姆區來實現。
阱的概念。一般N阱與最正的電源供給相連接。
mos管的I/V特性：有一個物理意義上的簡單推導，可以看一下，詳細的推導要還看半導體器件物理。我記得很難，當時沒學明白
2.2 二級效應
1、體效應（背柵效應）
VSB越大，閾值電壓越大，書上的原理真的沒咋看懂，（襯底電壓越低，負電荷被驅趕到溝道，難道達到同等電荷密度不就需要更小的閾值電壓了嗎）
等到器件物理再仔細看看吧。
2、溝道長度調制效應
比較簡單，具體原理沒記，略
3、亞閾值導電
通常我們電路分析主要遇到上面兩個，這個不太會遇到，只需要知道概念，即柵電壓並不是在閾值電壓時使溝道突然打開，二是在小於Vth時，仍然會有微弱的電流。
影響在於此漏電流會導致較大的功率損耗，或是模擬信息的丟失。
4、電壓限制
mos管也會有一系列擊穿效應，但沒怎么見過，看看就行了
5、速度飽和
書上沒提，但卻在其他書上常見，需要掌握。
具體的好像在數集上面？概念是當源漏電壓大到一定程度，電子運動速度將不會再隨電場增大，電流強度也就不會再隨電壓增大。
2.3 MOS器件模型
主要內容是器件的電容，這部分挺難的，要記住有哪些電容需要考慮，各自原理和來源，在各個工作區的變化。
挺麻煩的，主要涉及到的地方是數集和頻率特性那部分，先跳過了。計算的話就更不想看了，這部分算是比較繁瑣的。
其實電路涉及到電容都蠻繁瑣的，比如信號與系統和通信電路。。。
第三章 單機放大器
第三四五章，實際上是最基礎的，要掌握后面必須要把這三章熟練掌握。當然也挺難的，內容也很多，主要是低頻的分析。
這遍總結的目標是總結一下涉及到的知識點和各種常用的電路模塊、能夠做到目測分析各個常用模塊、了解各個設計的特性之間的折中。
3.1 基本概念
八邊形法則，也就是各個性能之間的折中，八個分別是增益、速度、功耗、電源電壓、線性度、噪聲、擺幅、輸入輸出阻抗
3.2 共源級
1、電阻負載的共源級，最簡單的情況，不需要考慮體效應和溝長調制，（雖然考慮溝調也很簡單）
值得注意的是，增益隨輸入電平變化，由此會在大信號工作中產生非線性。
跨導隨輸入電壓的變化也容易求出，輸入較小時，跨導逐漸變大，直到管子進入線性區，跨導逐漸減小。即在線性區邊緣跨導最大。
一個重要問題：如何提高增益？可以增大寬長比、增大電阻上的壓降、或者減小電流。體現的折中關系很重要：尺寸越大，電容越大；電阻上的電壓越大，擺幅越小。如果保持電壓不變，減小電流，將必須使電阻增大，這樣會導致輸出節點的時間常數增大。總之，其中的折中關系為 增益、帶寬、電壓擺幅。更低的電源電壓將會導致這種關系更加顯著。
2、采用二極管連接的共源級
是非常經典的模塊，要熟練掌握。起的作用是一個小信號電阻，電阻為1/（gm+gmb）
將此模塊做負載時，會發現增益變為跨導的比值，由於電流相同，會進一步等於寬長比的比值，線性性很好。
但增益不易提高。要達到10倍增益，需要寬長比的比值變為100倍，即需要強的輸入器件和弱的負載器件，這樣會造成器件尺寸不均衡，從而引起大的輸入和負載電容。同時還有另外一個嚴重局限：電壓擺幅減小，增益與過驅動電壓的比值成正比，要求的增益越大，要求的負載管過驅動電壓也就越大，擺幅就越小。
此處的例3.3很經典，因為當時一度困惑了很久，無法直觀理解。本質上，增益與過驅動電壓的關系，是給定尺寸下，增益與跨導的關系的體現。同時要注意負載的那個不是受控源，而是一個大信號電流源。由於電流變為四分之一，過驅動電壓變為了1/2，同時跨導變為1/2，相當於阻抗變為二倍。由此過驅動電壓相對增益變化了四倍。增益與過驅動電壓的矛盾減小了。
3、電流源做負載
略了，很直觀。
4、帶源極負反饋的共源級
這部分是比較難的，同時也需要熟練掌握，很多情形中會見到。
首先先忽略二級效應，計算增益，就比較簡單，也很容易直觀理解。值得注意的是，反饋電阻很大時，增益近似線性，相當於用增益換了線性性
然后是考慮二級效應時，會使直觀的理解變得很難。需要借助輔助定理，先求跨導再求輸出阻抗，最后得到增益。
先是得到跨導Gm，這個是通過定律推導的，需要記住，而且至今沒感覺有什么直觀理解的方式，估計其實是沒有，就先記住。
輸出電阻，個人倒是覺得比較直觀，我比較喜歡把Rs放在外面，物理意義比較明顯。當然后面基本也是利用近似，只保留乘積項。
最后是兩者相乘，得到增益。依據是輔助定理，這里也不太懂，如同諾頓等效一樣，不直觀，記住好了。
加入負載后的增益也可以推出來，結果就是跨導乘以 輸出阻抗和負載 的並聯。
3.3 源跟隨器
這里考慮的是有體效應、無溝長調制的情況，增益推導出的結果好像也不太直觀，記住吧。
這里的例題比較特殊，利用了迭代的方法，用於手算，平時沒怎么見過。
對於輸出阻抗，管子的柵極短路，相當於一個二極管連接的mos管，結果比較直觀，為1/（gm+gmb）
輸出阻抗還有更為直觀的理解方式，小信號電路可以等效為gmb與負載的並聯，再與gm串聯。考慮ro時，同理，直接並聯在負載上。
結論：源跟隨器表現出高的輸入阻抗和中等（其實已經很小了）的輸出阻抗，代價是非線性和電壓余度的減小。折中關系可以詳細討論。
關於非線性：即使負載無窮大也會有非線性，與器件有關，大概在百分之幾
電壓余度：由於源跟隨器會使信號直流點平發生平移，因此消耗電壓余度，從而限制擺幅。輸入存在一個較大的最小值。
同時，源跟隨器的驅動能力也一般，不是有效的驅動器。
缺點總結：體效應的非線性，電壓余度，驅動能力差。（后面還會講，源跟隨器引入大噪聲）
因此應用很受限，一般用作點平移動。
3.4 共柵級
增益：如不考慮ro，即輸入和輸出之間不存在反饋。增益比較容易考慮，Av =（gm+gmb）RD，比較直觀。
輸入阻抗比較小，如果沒有ro，也比較容易分析，1/（gm+gmb），也很直觀。
接下來的例題好像很關鍵，由於共柵級的負載不會對輸入阻抗有影響，可以通過調節晶體管尺寸確定輸入阻抗。傳輸線中，負載必須等於特征阻抗時，才不會有波反 射，因此共柵級可以應用與此。
如果考慮ro，就不太直觀了，只能老老實實推導。記不住，我覺得記那個簡單的就可以（模集真的好難吶）
輸入阻抗：這個其實相對來講比較直觀，，但結果也要記，同時要知道，負載等於零時，相當於源跟隨和二極管連接，負載無窮大時，輸入阻抗也是無窮大。
例題也盡量記一下，如果負載是電流源，那么增益比較直觀： Av = （gm+gmb）ro + 1
輸出阻抗分析過了，也比較簡單。
3.5 共源共柵級
最突出的特性在於輸出阻抗很高，近似為ro1*ro2*（gm1+gm2），比較容易理解，也很常用。
層疊更多的管子會增大輸出阻抗，但會減少電壓余度。
比較增大增益的兩種方法：
1、利用共源共柵 2、保持偏置電流不變減小寬長比
計算表明兩種方法在增益和電壓余度的折中里受到同樣的限制。
共源共柵結構不一定起放大器的作用，一個普遍應用是恆定電流源，原因是輸出阻抗較高，（雖然還是有電壓余度不夠的問題）
對於電壓余度這個概念，一般來講，套筒結構多一個管子，就相當於電壓余度少一個過驅動電壓。
屏蔽特性的概念：輸出端電壓變化，幾乎不影響源級的電壓。即共源共柵晶體管 屏蔽 輸入器件，不受輸出節點電壓變化的影響。
折疊共源共柵的概念：略
下面這段倒是沒咋看懂：我們本章設法增大了輸出電阻來達到高增益，或許看起來這會使電路的速度容易受負載電容的影響，盡管如此，如第八章解釋，如果放大器工 作在一個適當的反饋回路里，高輸出阻抗本身並不會造成嚴重問題。
3.6 器件模型的選擇
有點廢話
這就是前三章了，可以說第三章是非常基礎的了，最好能做到直觀理解。