虽然考察范围差不多是整本书，但我们学校只讲到了第九章十章的样子，先整理这部分，剩下的部分再看。
当然光这些东西也好难。。。
第一章 模拟电路设计绪论
一些基础知识，首先是模拟电路的重要性。虽然数字电路运算能力强得多，大的模拟电路又不利于设计，但某些情景下模拟电路还是必不可少的。
比如对自然信号的采集时，需要利用放大器、滤波器、ADC等，有时对性能要求很高，需要很专业的设计。
比如数字通信，为了应对电缆的损耗，需使用多电平信号，仍要用到ADC和DAC
比如硬盘读取时电平信号很小，噪声影响会很大，需要滤波器。
比如无线接收器，需要高频、低噪声的滤波器和放大器。
比如光接收器，应用于光纤系统。
比如传感器，有时需要的精度极高。
比如微处理器和存储器，应对高速信号、寄生参数等等，需要利用模拟电路处理。“高速数字电路设计实际上是模拟电路的设计”
然后是研究CMOS电路的原因，CMOS上世纪六十年代问世，很快占领了数字电路市场。它的优点在于，只需要很少的元件以及只在开关瞬间消耗功率。此外，人们发现CMOS器件更容易按比例缩小，增加集成度，以及CMOS电路成本更低。
但在模拟领域，MOSFET与双极性晶体管相比，缺点是速度相当慢，噪声相当大，应用因此受限。但由于其器件能够按比例缩小的优势，提高了MOSFET的速度，已经可以和双极性器件相比较了。目前几GHz的模拟电路已经生产了。
鲁棒性的概念：音译自robust，强健的，坚固的，用来描述系统的性能时，表示系统在不同外界环境下（如温度、外电压）能够保持正常工作的能力。
本章结束
第二章 MOS器件物理基础
本章涉及到MOS器件的基本的特性、常见二级效应、以及MOS器件电容。
2.1 基本概念
mos结构，记住一些概念就可以：
衬底（bulk/body）
两个重掺杂n区形成的源端（source）和漏端（drawn）
重掺杂（用以导电）的多晶硅构成的栅（poly）
一层薄SiO2使得栅与衬底隔离
栅长、栅宽、有效沟道长度、沟道总长度、横向扩散长度、
栅氧化层厚度也是非常重要的参数
一般而言，管子的S、D都必须反偏，意味着NMOS的衬底要被连接到最低电压上。通常利用一个P+欧姆区来实现。
阱的概念。一般N阱与最正的电源供给相连接。
mos管的I/V特性：有一个物理意义上的简单推导，可以看一下，详细的推导要还看半导体器件物理。我记得很难，当时没学明白
2.2 二级效应
1、体效应（背栅效应）
VSB越大，阈值电压越大，书上的原理真的没咋看懂，（衬底电压越低，负电荷被驱赶到沟道，难道达到同等电荷密度不就需要更小的阈值电压了吗）
等到器件物理再仔细看看吧。
2、沟道长度调制效应
比较简单，具体原理没记，略
3、亚阈值导电
通常我们电路分析主要遇到上面两个，这个不太会遇到，只需要知道概念，即栅电压并不是在阈值电压时使沟道突然打开，二是在小于Vth时，仍然会有微弱的电流。
影响在于此漏电流会导致较大的功率损耗，或是模拟信息的丢失。
4、电压限制
mos管也会有一系列击穿效应，但没怎么见过，看看就行了
5、速度饱和
书上没提，但却在其他书上常见，需要掌握。
具体的好像在数集上面？概念是当源漏电压大到一定程度，电子运动速度将不会再随电场增大，电流强度也就不会再随电压增大。
2.3 MOS器件模型
主要内容是器件的电容，这部分挺难的，要记住有哪些电容需要考虑，各自原理和来源，在各个工作区的变化。
挺麻烦的，主要涉及到的地方是数集和频率特性那部分，先跳过了。计算的话就更不想看了，这部分算是比较繁琐的。
其实电路涉及到电容都蛮繁琐的，比如信号与系统和通信电路。。。
第三章 单机放大器
第三四五章，实际上是最基础的，要掌握后面必须要把这三章熟练掌握。当然也挺难的，内容也很多，主要是低频的分析。
这遍总结的目标是总结一下涉及到的知识点和各种常用的电路模块、能够做到目测分析各个常用模块、了解各个设计的特性之间的折中。
3.1 基本概念
八边形法则，也就是各个性能之间的折中，八个分别是增益、速度、功耗、电源电压、线性度、噪声、摆幅、输入输出阻抗
3.2 共源级
1、电阻负载的共源级，最简单的情况，不需要考虑体效应和沟长调制，（虽然考虑沟调也很简单）
值得注意的是，增益随输入电平变化，由此会在大信号工作中产生非线性。
跨导随输入电压的变化也容易求出，输入较小时，跨导逐渐变大，直到管子进入线性区，跨导逐渐减小。即在线性区边缘跨导最大。
一个重要问题：如何提高增益？可以增大宽长比、增大电阻上的压降、或者减小电流。体现的折中关系很重要：尺寸越大，电容越大；电阻上的电压越大，摆幅越小。如果保持电压不变，减小电流，将必须使电阻增大，这样会导致输出节点的时间常数增大。总之，其中的折中关系为 增益、带宽、电压摆幅。更低的电源电压将会导致这种关系更加显著。
2、采用二极管连接的共源级
是非常经典的模块，要熟练掌握。起的作用是一个小信号电阻，电阻为1/（gm+gmb）
将此模块做负载时，会发现增益变为跨导的比值，由于电流相同，会进一步等于宽长比的比值，线性性很好。
但增益不易提高。要达到10倍增益，需要宽长比的比值变为100倍，即需要强的输入器件和弱的负载器件，这样会造成器件尺寸不均衡，从而引起大的输入和负载电容。同时还有另外一个严重局限：电压摆幅减小，增益与过驱动电压的比值成正比，要求的增益越大，要求的负载管过驱动电压也就越大，摆幅就越小。
此处的例3.3很经典，因为当时一度困惑了很久，无法直观理解。本质上，增益与过驱动电压的关系，是给定尺寸下，增益与跨导的关系的体现。同时要注意负载的那个不是受控源，而是一个大信号电流源。由于电流变为四分之一，过驱动电压变为了1/2，同时跨导变为1/2，相当于阻抗变为二倍。由此过驱动电压相对增益变化了四倍。增益与过驱动电压的矛盾减小了。
3、电流源做负载
略了，很直观。
4、带源极负反馈的共源级
这部分是比较难的，同时也需要熟练掌握，很多情形中会见到。
首先先忽略二级效应，计算增益，就比较简单，也很容易直观理解。值得注意的是，反馈电阻很大时，增益近似线性，相当于用增益换了线性性
然后是考虑二级效应时，会使直观的理解变得很难。需要借助辅助定理，先求跨导再求输出阻抗，最后得到增益。
先是得到跨导Gm，这个是通过定律推导的，需要记住，而且至今没感觉有什么直观理解的方式，估计其实是没有，就先记住。
输出电阻，个人倒是觉得比较直观，我比较喜欢把Rs放在外面，物理意义比较明显。当然后面基本也是利用近似，只保留乘积项。
最后是两者相乘，得到增益。依据是辅助定理，这里也不太懂，如同诺顿等效一样，不直观，记住好了。
加入负载后的增益也可以推出来，结果就是跨导乘以 输出阻抗和负载 的并联。
3.3 源跟随器
这里考虑的是有体效应、无沟长调制的情况，增益推导出的结果好像也不太直观，记住吧。
这里的例题比较特殊，利用了迭代的方法，用于手算，平时没怎么见过。
对于输出阻抗，管子的栅极短路，相当于一个二极管连接的mos管，结果比较直观，为1/（gm+gmb）
输出阻抗还有更为直观的理解方式，小信号电路可以等效为gmb与负载的并联，再与gm串联。考虑ro时，同理，直接并联在负载上。
结论：源跟随器表现出高的输入阻抗和中等（其实已经很小了）的输出阻抗，代价是非线性和电压余度的减小。折中关系可以详细讨论。
关于非线性：即使负载无穷大也会有非线性，与器件有关，大概在百分之几
电压余度：由于源跟随器会使信号直流点平发生平移，因此消耗电压余度，从而限制摆幅。输入存在一个较大的最小值。
同时，源跟随器的驱动能力也一般，不是有效的驱动器。
缺点总结：体效应的非线性，电压余度，驱动能力差。（后面还会讲，源跟随器引入大噪声）
因此应用很受限，一般用作点平移动。
3.4 共栅级
增益：如不考虑ro，即输入和输出之间不存在反馈。增益比较容易考虑，Av =（gm+gmb）RD，比较直观。
输入阻抗比较小，如果没有ro，也比较容易分析，1/（gm+gmb），也很直观。
接下来的例题好像很关键，由于共栅级的负载不会对输入阻抗有影响，可以通过调节晶体管尺寸确定输入阻抗。传输线中，负载必须等于特征阻抗时，才不会有波反 射，因此共栅级可以应用与此。
如果考虑ro，就不太直观了，只能老老实实推导。记不住，我觉得记那个简单的就可以（模集真的好难呐）
输入阻抗：这个其实相对来讲比较直观，，但结果也要记，同时要知道，负载等于零时，相当于源跟随和二极管连接，负载无穷大时，输入阻抗也是无穷大。
例题也尽量记一下，如果负载是电流源，那么增益比较直观： Av = （gm+gmb）ro + 1
输出阻抗分析过了，也比较简单。
3.5 共源共栅级
最突出的特性在于输出阻抗很高，近似为ro1*ro2*（gm1+gm2），比较容易理解，也很常用。
层叠更多的管子会增大输出阻抗，但会减少电压余度。
比较增大增益的两种方法：
1、利用共源共栅 2、保持偏置电流不变减小宽长比
计算表明两种方法在增益和电压余度的折中里受到同样的限制。
共源共栅结构不一定起放大器的作用，一个普遍应用是恒定电流源，原因是输出阻抗较高，（虽然还是有电压余度不够的问题）
对于电压余度这个概念，一般来讲，套筒结构多一个管子，就相当于电压余度少一个过驱动电压。
屏蔽特性的概念：输出端电压变化，几乎不影响源级的电压。即共源共栅晶体管 屏蔽 输入器件，不受输出节点电压变化的影响。
折叠共源共栅的概念：略
下面这段倒是没咋看懂：我们本章设法增大了输出电阻来达到高增益，或许看起来这会使电路的速度容易受负载电容的影响，尽管如此，如第八章解释，如果放大器工 作在一个适当的反馈回路里，高输出阻抗本身并不会造成严重问题。
3.6 器件模型的选择
有点废话
这就是前三章了，可以说第三章是非常基础的了，最好能做到直观理解。