實驗六，版圖
6.1 實驗背景
6.2 實驗內容
- 搭建CMOS反相器原理圖並仿真驗證
- 繪制反相器版圖
- 進行DRC，LVS檢查
6.3 實驗過程
- 如下圖所示繪制反相器原理圖，NMOS設置W=2um，L=1um，finger=2，PMOS設置W=4um，L=1um，finger=2
- 設置激勵條件，進行瞬態仿真
- 在做版圖之前需要先把工藝庫和Library進行attach，否則創建Layout時顯示不出Layer
- 創建Layout
- 從原理圖導入Instance
- 導入后的Instance如下圖所示（只顯示為紅框符號），想要查看Layout需要通過Shift+F快捷鍵進行切換
- 這里的NMOS和PMOS都沒有顯示B極，需要選中Instance后按q進行修改，可以設置襯底在Instance周圍的位置（Left、Right、Bottom、Top）
- 為了便於進行布線，在LSW界面中勾選Valid，Used，Routing選項，這樣就只剩下了7個Layer，根據反相器的原理進行版圖的繪制，並添加Label
- 運行DRC，根據報錯內容修改版圖，DRC問題的修改主要參考報錯內容以及PDK的Design Rules文檔
10 .運行LVS，如果原理圖和版圖是一致的，會顯示綠色笑臉😊
6.4 實驗分析
對於W/L很大的晶體管，此時其的柵電阻以及對應的寄生電容都較大，因此在實際設計中會將其設為多 finger 的結構。將其拆分為 finger=2 的 MOS 管后，對應的漏端的結電容 減小了一半。muti-finger晶體管的結構如下：
晶體管的\(W_{total}=W_f\times N_{finger}\)，multi-finger晶體管廣泛用於Layout技術中。
進行Layout時，連線需要在正確的Layer中進行，跨Layer的連接需要依靠通孔。每個Layer的簡寫和名稱的對應關系如下表所示：
| Layer簡寫 | Layer名稱 |
|---|---|
| AA | 有源區（Active Area） |
| NW | N阱（N-Well） |
| GT | 多晶硅柵極（Ploy Gate） |
| SN | N型離子注入區（N+ implant） |
| SP | P型離子注入區（P+ implant） |
| CT | 接觸孔（Contact） |
| M1 | 金屬層1（Metal-1） |
其他層的說明可以參考PDK的Design Rules文檔。
常用快捷鍵：
-
Save ------- 保存編輯(f2)
-
Fit Edit-------全屏顯示所畫單元（f）
-
Zoom In -------放大 (Shift+z)
-
Zoom Out ------- 縮小(Ctrl+z)
-
Stretch ------- 伸縮，拉動圖形的邊或角(s)
-
Copy -------復制編輯 (c)
-
Move ------- 移動(m)
-
Delete ------- 刪除編輯(Del)
-
Undo ------- 取消編輯，只能取消一次(u)
-
Properties --------編輯目標屬性（q）
-
Instance--------調用單元器件（i）
-
Path -------畫等寬線(p)
-
Polygon ------- 編輯多邊形圖形(Shift+p)
-
Label--------加入文本信息（l）
-
Rectangle -------編輯矩形圖形(r)
-
Ruler--------標尺（k）