1、存儲器分類？
2、按存儲器方式划分存儲器和其特點？
另一種說法：
（1）隨機讀寫存儲器(random access memory，隨機存取存儲器）
- SRAM （Static RAM，靜態隨機存儲器）斷電數據丟失
- .DRAM. （Dynamic RAM，動態隨機存取存儲器） 斷電數據丟失
- SDRAM（Synchronous DRAM，同步動態隨機存儲器） 斷電數據丟失
- DDR (DDR SDRAM=雙倍速率同步動態隨機存儲器)
（2）只讀存儲器（Read-Only Memory，只讀存儲器的總稱）
- PROM: 可編程只讀存儲器，只能寫一次
- EPROM（Erasable Programmable ROM，可重復擦除和寫入）
- EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM，電可擦可編程只讀存儲器)
（3）閃存（Flash）
閃存(FLASH)是一種非易失性存儲器，即斷電數據也不會丟失. 因為閃存不像RAM（隨機存取存儲器）一樣以字節為單位改寫數據，因此不能取代RAM。
3、SRAM、FLASH、DRAM的區別？
4、NAND FLASH 和 NOR FLASH 的區別？
5、register file，one/two port ram 的區別？
6、什么叫做OTP片/掩模片？有何區別？
7、簡述SDRAM以及DRAM的區別以及各自的優缺點
- 異步與同步。前面介紹的標准DRAM是異步DRAM，也就是說對它讀/寫的時鍾與CPU的時鍾是不一樣的。而在Sdram工作時，其讀/寫過程是與CPU時鍾（PC機中是由北橋提供的）嚴格同步的。
- 讀/寫方式。標准的DRAM的讀/寫都是每讀/寫一個存儲單元，都按照一定的時序，在DRAM規定的讀/寫周期內完成存儲單元的讀/寫智能化。在SDRAM芯片內部設置有模式寄存器，利用命令可對SDRAM的工作模式進行設置。一般標准DRAM只有一種工作模式，無需對其進行設置。
- 內部組織結構。SDRAM芯片的內部存儲單元在組織上與標准DRAM有很大的不同。在SDRAM內部一般要將存儲芯片的存儲單元分成兩個以上的體(bank)。最少兩個，目前一般做到4個。這樣一來，當對SDRAM進行讀/寫時，選中的一個體(bank)在進行讀/寫時，另外沒有被選中的體(bank)便可以預充電，做必要的准備工作。當下一個時鍾周期選中它讀或寫時，它可以立即響應，不必再做准備。這顯然能夠提高SDRAM的讀/寫速度。而標准DRAM 在讀/寫時，當一個讀/寫周期結束后，RAS和CAS都必須停止激活，然后要有一個短暫的預充電期才能進入到下一次的讀/寫周期中，其速度顯然會很慢。標准的DRAM可以看成內部只有一個體的SDRAM。
8、SRAM,FALSHMEMORY,DRAM，SSRAM及SDRAM的區別?
- SRAM：靜態隨機存儲器，存取速度快，但容量小，掉電后數據會丟失，不像DRAM 需要不停的REFRESH，制造成本較高，通常用來作為快取(CACHE) 記憶體使用。
- FLASH：閃存，存取速度慢，容量大，掉電后數據不會丟失
- DRAM：動態隨機存儲器，必須不斷的重新的加強(REFRESHED) 電位差量，否則電位差將降低至無法有足夠的能量表現每一個記憶單位處於何種狀態。價格比SRAM便宜，但訪問速度較慢，耗電量較大，常用作計算機的內存使用。
- SSRAM：即同步靜態隨機存取存儲器。對於SSRAM的所有訪問都在時鍾的上升/下降沿啟動。地址、數據輸入和其它控制信號均於時鍾信號相關。
- SDRAM：即同步動態隨機存取存儲器。
9、SRAM面積大小與哪些些因素有關
- 容量
- 地址譯碼方式
- 禁布區
- BIST電路
10、下列關於存儲器的描述正確的是（BC）
A、ROM可以任意進行讀寫操作
B、ROM在斷電后信息不丟失，接通電源即可使用
C、RAM可以任意進行讀寫操作
D、RAM在斷電后信息不回丟失，接通電源即可使用
11、16選1的數據選擇器地址端有（4）位，n個觸發器構成的計數器最大的計數長度為（2n）個。
12、有兩種基本類型的flash存儲器：（NOR）FLASH和（NAND）FLASH，如果要從FLASH直接運行代碼，應選用（NOR）FLASH。
13、存儲量為4KX8位的RAM存儲器，其地址線為（12）條、數據線為（8）條。
14、一個數據0X01234567以Byte為存儲單位存到地址空間初始地址2000h，以little-endian方式怎樣存，以big-endlian方式怎樣存？
字節排序含義：Big-Endian 一個Word中的高位的Byte放在內存中這個Word區域的低地址處。Little-Endian 一個Word中的低位的Byte放在內存中這個Word區域的低地址處。
必須注意的是：表中一個Word的長度是16位，一個Byte的長度是8位。如果一個數超過一個Word的長度，必須先按Word分成若干部分，然后每一部分(即每個Word內部) 按Big-Endian或者Little-Endian的不同操作來處理字節。
一個例子：
如果我們將0x1234abcd寫入到以0x0000開始的內存中，則結果為
big-endian little-endian
0x0000 0x12 0xcd
0x0001 0x34 0xab
0x0002 0xab 0x34
0x0003 0xcd 0x12