1、 最能描述集成電路工藝技術水平的技術指標是（B）
A、晶片直徑 B、特征尺寸 C、芯片面積 D、封裝
2、 相同工藝條件下，下列哪種邏輯的組合邏輯延遲最長（A）
A、2輸入異或門 B、2輸入與非門
C、2輸入或門 D、1輸入反相器
3、對於90nm制程芯片，合法的電壓，環境溫度范圍內，以下哪種情況內部信號速度最快：（B）
A:溫度低，電壓低
B:溫度低，電壓高
C:溫度高，電壓低
D:溫度高，電壓高
4、電容的作用包括（A,CEF）
A、去耦
B、采樣保持
C、交流耦合
D、分壓
E、儲能
F、濾波
解析：電容的作用（1）隔直流（2）旁路（去耦）（3）耦合（4）濾波（5）溫度補償（6）計時（7）調諧（8）整流（9）儲能
5、相同的size下，哪種cell漏電最小（D）
A、HVT B、RVT C、LVT D、ULVT
6、半導體工藝中，摻雜有哪幾種方式？
根據摻入的雜質不同，雜質半導體可以分為N型和P型兩大類。 N型半導體中摻入的雜質為磷等五價元素，磷原子在取代原晶體結構中的原子並構成共價鍵時，多余的第五個價電子很容易擺脫磷原子核的束縛而成為自由電子，於是半導體中的自由電子數目大量增加，自由電子成為多數載流子，空穴則成為少數載流子。P型半導體中摻入的雜質為硼或其他三價元素，硼原子在取代原晶體結構中的原子並構成共價鍵時，將因缺少一個價電子而形成一個空穴，於是半導體中的空穴數目大量增加，空穴成為多數載流子，而自由電子則成為少數載流子。
7、工藝分類和基礎電路的工藝流程？
TTL,CMOS兩種比較流行，TTL速度快功耗高，CMOS速度慢功耗低；
集成電路的工藝流程：氧化，離子注入，光刻，腐蝕，擴散，淀積等。
8、天線效應的概念和解決辦法？
