在知網看到了江南大學的碩士論文：
雙有源層a-IGZO薄膜晶體管的特性仿真
IGZO/IZO雙有源層薄膜晶體管特性的模擬研究
發現，我昨天的文章中參數的設置存在重大失誤，如下材料定義語句中：
material material=igzo eg300=3.5 nc300=8.5e21 nv300=8.5e21 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.35 mup=1 mun=35
eg300:禁帶寬度
nc300/nv300:effective density of states for electrons and holes
taun0/taup0:electron and hole lifetimes(載流子壽命)
affinity:電子親和勢
mup/mun:electron and hole mobilities(兩種載流子的遷移率)
上述已在（04）中提到過，然而對於nc與nv：
對於特定材料而言應為定值...吧？
上圖為文獻中給出的模擬參數。材料定義更改為下：
material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=5e18 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=15
輸出：
其次，defect語句的引入還存在問題，我還以為引入缺陷越多，電流就會越高，實則不然。語句內各個參數定義並未完全理解，還需進一步查找資料。
啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊