在eetop上有好多好東西啊：
Silvaco_TCAD_中文教程1
不過這個教程里是Linux系統的，而且工藝仿真占了比較大的篇幅。
defect region=1 nta=5e17 wta=0.172 nga=5e15 wga=2 ntd=0.0 wtd=0 ngd=0 wgd=0 interface QF=-2e10 S.I model fermi solve init solve vdrain=10 log outf=tft.log solve vgate=-20 vstep=-0.5 vfinal=20 name=gate outfile=oxideTFT.str tonyplot -overlay oxideTFT.str tft.log
因為之前出現了內存不足的問題，於是精簡了defect的定義，步長改成了0.5，但是這樣的話求解不收斂，如下。
步長改為0.1還是不收斂；
翻了下書，改了計算方法
method gummel newton
可能是因為步長比較小的原因，算了好久。
輸出的轉移曲線如下：
emmmmmm
沒想明白關態電流為啥這么高。
接下來，要手調參數擬合。
材料定義：
material material=igzo eg300=3.5 nc300=8.5e21 nv300=8.5e21 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.35 mup=1 mun=35
eg300:禁帶寬度
nc300/nv300:effective density of states for electrons and holes
taun0/taup0:electron and hole lifetimes(載流子壽命)
affinity:電子親和勢
mup/mun:electron and hole mobilities(兩種載流子的遷移率)
缺陷定義：
defect region=1 nta=5e17 wta=0.172 nga=5e15 wga=2 ntd=0.0 wtd=0 ngd=0 wgd=0
Atlas User's Manual V1 Density Of States Model
NTA/NTD:Conduction and valence band edge intercept densities
WTA/WTD:Characteristic decay energy of NTA
NGA/NGD:Total density of states
WGA/WGD:Characteristic decay energy of NGA
EGA/EGD:Peak energy/peak distribution
界面電荷定義：
interface QF=-2e10 S.I
The INTERFACE statement is used to define the interface charge density and surface recombination velocity at interfaces between semiconductors and insulators .
該語句用於定義半導體和絕緣層之間的界面電荷密度和表面復合速度。
其他的明天再說...