[SILVACO ATLAS]a-IGZO薄膜晶體管二維器件仿真（07）

今天主要解決一下defect語句：

defect region=1 nta=1.55e20 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e16 wga=2 ntd=1.55e20 ngd=0 wgd=0

之前（02）的例子里還有doping的定義：

doping material=IGZO donor concentration=5e17 uniform

doping前：

doping后：

 

？？？可能是摻雜多了？？？

Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors—Part I: Complete Extraction of Density of States Over the Full Subband-Gap Energy Range

這篇文章里給出了IGZO部分參數：

 語句更改如下：

material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e21 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=15

defect region=1 nta=1e18 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=4.5e21 ngd=0 wgd=0

interface QF=-2e10 S.I

 輸出：（-16~-6）

接下來安排：

1.閱讀文獻，深度理解DOS模型的含義；

2.調試，尋找參數與開關比的關系，調整開關電流；

下午仿真文件目錄：

200211_3j

material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e21 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=15

defect region=1 nta=1e17 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=4.5e21 ngd=0 wgd=0
 interface QF=-5e10 S.I

200211_3j_2

material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e21 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=20

defect region=1 nta=1e17 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=4.5e21 ngd=0 wgd=0
 interface QF=-5e10 S.I

200211_3j_3

material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e21 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=20

defect region=1 nta=1e17 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=4e20 ngd=0 wgd=0

200211_3j_4

material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e22 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=20

defect region=1 nta=1e17 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=4e20 ngd=0 wgd=0

200211_3j_5

material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e22 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=20

defect region=1 nta=1e16 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=1e19 ngd=0 wgd=0

200211_3j_6

material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e22 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=30

defect region=1 nta=1e16 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=1e19 ngd=0 wgd=0

輸出：

 

放大，關注的開態電流：

主要變化還是依據於遷移率mun參數的改變，根據文獻，開態飽和電流公式：

直接更改的參數只有遷移率與柵電容，但是遷移率有限制，即IGZO遷移率仍存在限制。下一步考慮更改氧化層參數。