金屬-氧化物半導體場效應晶體管，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。
MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱上包括NMOS、PMOS等
N溝道MOSFET可以理解為在P型基座上刨除兩個N型溝道，如下
源極與漏極的特性必須同為N型（即NMOS）或是同為P型（即PMOS）
基座連着柵極G,所以柵極是p, 漏極D（drain）和源極S是N極，下屬是N型MOSFET物理符號：
集成電路芯片上的MOSFET為四端元件，所以除了柵極、源極、漏極外，尚有一基極（Bulk或是Body）。
上圖能看出，柵極G不是P，N結，只是金屬極，NOMS基底是P型，通道D/S是N型。通過在柵極加正向（NMOS，加正電壓到G極把電子吸引到G極是兩個N通道導通）或者負向電壓（PMOS，基底是N型，通道D/S 是P型，加負電壓把電子推走，吸引空穴到表面形成通道）來使D極和S極導通。
通常把基極和源極接在一起，故分布式MOSFET通常為三端元件。而在集成電路中的MOSFET通常因為使用同一個基極。
在源極與漏極之間被一個極性相反的區域隔開，也就是所謂的基極（或稱基體）區域。如果是NMOS，那么其基體區的摻雜就是P型
對這個NMOS而言，真正用來作為通道、讓載流子通過的只有MOS電容正下方半導體的表面區域。當一個正電壓施加在柵極上，帶負電的電子就會被吸引至表面，形成通道，讓N型半導體的多數載流子—電子可以從源極流向漏極。如果這個電壓被移除，或是放上一個負電壓，那么通道就無法形成，載流子也無法在源極與漏極之間流動。
假設操作的對象換成PMOS，那么源極與漏極為P型、基體則是N型。在PMOS的柵極上施加負電壓，則半導體上的空穴會被吸引到表面形成通道，半導體的多數載流子—空穴則可以從源極流向漏極。假設這個負電壓被移除，或是加上正電壓，那么通道無法形成，一樣無法讓載流子在源極和漏極間流動。
一個完整的MOSFET結構需要一個提供多數載流子（majority carrier）的源極以及接受這些多數載流子的漏極。
箭頭方向永遠從P端指向N端，所以箭頭從通道 指向 “基極” 端的為P型的MOSFET，或簡稱PMOS（代表此元件的通道為P型）；
反之若箭頭從 基極 指向 通道，則代表基極為P型，而通道為N型，此元件為N型的MOSFET，簡稱NMOS。
場效應晶體管是電壓控制元件，而雙極結型晶體管是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用雙極晶體管。