Silvaco的破解用了好久好久，而且之后拷了上次例子的代碼，Tonyplot的輸出存在報錯，還是四連。
當然這個點一下還是會出圖的。但是，源代碼稍微改了下結構，又有報錯，而且程序直接終止。
go atlas mesh width=180 outf=tftex10_1.str master.out x.m l=0 s=0.25 x.m l=40 s=0.25 y.m l=0 s=0.0005 y.m l=0.06 s=0.0005 y.m l=0.41 s=0.005 region num=1 material=igzo y.min=0 y.max=0.06 region num=2 material=sio2 y.min=0.06 y.max=0.11 region num=3 material=al2o3 y.min=0.11 y.max=0.41 elec num=1 name=gate bottom elec num=2 name=source y.max=0.0 x.min=0.0 x.max=5.0 elec num=3 name=drain y.max=0.0 x.min=35.0 x.max=40.0 #contact num=1 n.ploy
#contact num=1 all
#contact num=1 workf=4.33
#contact name=gate n.ploy contact num=2 workf=4.33 contact num=3 workf=4.33 save outf=tft.str tonyplot tft.str quit
把求解部分都砍掉了，只留下了結構的輸出，但是每次運行到定義到柵極接觸的語句都會報錯。
昨天有點事，時間不多，但是一直報錯沒解決就只能換結構了。比如柵氧化層換成單層氮化硅。
go atlas mesh x.m l=0 s=0.5 x.m l=40 s=0.5 y.m l=0 s=0.001 y.m l=0.06 s=0.001 y.m l=0.36 s=0.01 region num=1 material=igzo y.min=0 y.max=0.06 region num=2 material=sin y.min=0.06 y.max=0.36 elec num=1 name=gate y.min=0.36 y.max=0.36 x.min=0.0 x.max=40.0 elec num=2 name=source y.min=0.0 y.max=0.0 x.min=0.0 x.max=5.0 elec num=3 name=drain y.min=0.0 y.max=0.0 x.min=35.0 x.max=40.0 save outf=tft.str contact name=gate n.poly interface qf=3e10 contact num=2 workf=4.33 contact num=3 workf=4.33 tonyplot tft.str quit
這個in文件就只有一個器件結構的輸出，如下：
材料定義與分層
網格划分情況
接下來就要引入igzo材料模型進行轉移曲線的擬合了....
看了下官網剩下的幾個例子進行了很多工藝仿真以及其他操作，暫時用不到，目前還是單一的專攻ATLAS吧。。。下面一個例子雖然是一半工藝仿真，但是還是有很多高端操作。
tftex12.in : Insulator Trap Induced Measurement Sweep Hysterisis
# (c) Silvaco Inc., 2019 go athena #工藝仿真？？？ line x loc=0 spac=1 line x loc=6 spac=0.8 line x loc=7 spac=0.05 line x loc=12 spac=0.05 line x loc=13 spac=0.8 line x loc=19 spac=1 line y loc=0 spac=0.5 line y loc=0.1 spac=0.5 #？？？ init oxide deposit aluminum thick=0.05 div=1 etch aluminum start x=6 y=-0.1 etch cont x=7 y=0 etch cont x=12 y=0 etch done x=13 y=-0.1 #工藝仿真的沉積與刻蝕 electrode name=source x=1 electrode name=drain x=18 deposit material=IGZO thick=0.02 div=15 dy=0.002 etch material=IGZO left p1.x=2 etch material=IGZO right p1.x=17 deposit oxide thick=0.1 div=10 deposit titanium thick=0.1 divisions=1 etch titanium left p1.x=6 etch titanium right p1.x=12.5 etch above p1.y=-0.15 electrode name=gate x=9.5 structure outfile=tftex12_0.str tonyplot tftex12_0.str -set tftex12_0.set go atlas mesh inf=tftex12_0.str width=140 #直接導入網格文件 set measurementtime=0.0001 doping material=IGZO donor concentration=5e17 uniform material material=IGZO nc300=5e18 nv300=5e18 eg300=3.1 mun0=15 mup0=0.1 \ affinity=4.16 permittivity=10 me.tunnel=0.01
#IGZO直接更改參數 material material=oxide permittivity=3.9 models srh fldmob print trap.tunnel ^trap.coulombic mass.tunnel=0.1 bbt.std #這次怎么這么多？？？ contact name=gate n.poly contact name=source workfunc=4.16+0.17 contact name=drain workfunc=4.16+0.17
#功函數要加一下？？？ defects material=IGZO tfile=tftex12.dat sigtde=1e-12 sigtdh=1e-12 sigtae=1e-12 \ sigtah=1e-12 wtd=0.12 ntd=1.55e20 nta=2e18 wta=0.085 wgd=0.4 egd=2.9 \ ngd=6.5e16 nga=4e15 ega=1 wga=0.5 siggde=1e-12 siggdh=1e-12 \ siggae=1e-12 siggah=1e-10 inttrap e.level=0.4 acceptor density=1.0e12 s.x degen=4 sign=1.0e-13 \ sigp=1.0e-14 heiman depth=0.004 hpoints=10 #？？？應該是界面缺陷的定義 method climit=1e-4
#？？？ output con.band val.band #？？？ solve init solve previous #手冊上也沒搜到這啥意思 log outf=tftex12_0.log solve vdrain=0 vstep=0.1 vfinal=1 name=drain solve vstep=0.5 vfinal=5 name=drain log outf=tftex12_1.log
#.log文件有啥用？？？ solve vfinal=15 vstep=0.2 name=gate timespan=$measurementtime save outf=tftex12_1.str extract name="Vth" x.val from curve(v."gate", i."drain") where y.val=1e-5 extract name="Ion" y.val from curve(abs(v."gate"),abs(i."drain")) where x.val=14 #直接提取參數，閾值電壓與開啟電流
log off log outf=tftex12_2.log solve vfinal=0 vstep=-0.2 name=gate timespan=$measurementtime log off tonyplot tftex12_1.log -overlay tftex12_2.log -set tftex12_1.set
#這倆啥意思又忘了查
#還沒有quit
哎
開學時間又延遲了，祝願武漢早日挺過難關。