原文:芯片內億萬的晶體管制程工藝

芯片內億萬的晶體管制程工藝 一 原理 晶體管並非是安裝上去的,芯片制造其實分為沙子 晶圓,晶圓 芯片這樣的過程,而在芯片制造之前,IC涉及要負責設計好芯片,然后交給晶圓代工廠。 芯片設計分為前端設計和后端設計,前端設計 也稱邏輯設計 和后端設計 也稱物理設計 並沒有統一嚴格的界限,涉及到與工藝有關的設計就是后端設計。芯片設計要用專業的EDA工具。 如果我們將設計的門電路放大,白色的點就是襯底, 還 ...

2020-05-01 14:35 0 662 推薦指數:

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晶體管邏輯芯片設計微縮圖形化

晶體管邏輯芯片設計微縮圖形化 伴隨着晶體管大小不斷逼近原子的物理體積極限,傳統摩爾定律下的2D微縮技術不再能同時改善芯片的性能、功率、面積成本和上市時間(即:PPACt),晶體管設計、互連微縮、圖形化和設計技術協同優化(DTCO)成為橫亘在邏輯微縮道路上的三座大山。邏輯芯片,電子產品中主要的處理 ...

Thu Jan 27 14:01:00 CST 2022 0 713
晶體管的工作原理

晶體管,本名:半導體三極管(三極分別為發射極、基極和集電極;其中,發射極的電流最大,基極的電流最小,發射極的電流等於基極與集電極的電流之和)。對於晶體管,我們其實並不陌生,放大器就是晶體管的一個基礎應用。 要想理解晶體管的工作原理,就必須先要理解二極管的工作原理。二極管由半導體材料制作而成,下面 ...

Tue Feb 05 21:50:00 CST 2019 0 1308
簡易晶體管圖示儀

簡易晶體管圖示儀 一、 NE555時鍾電路 關於555時鍾電路的參數計算: (參考網站:http://www.elecfans.com/tools/555dingshiqipinlv.html) T2 (off-time) = 0.693 * R2 * C1 T ...

Thu Sep 20 08:36:00 CST 2018 0 1933
芯片制造―半導體工藝制程實用教程第六版課后答案

芯片制造――半導體工藝制程實用教程(美)Peter Van Zant(彼得・范・贊特)課后習題答案 本書是一本介紹半導體集成電路和器件制造技術,在半導體領域享有很高的聲譽; 包括半導體工藝的每個階段: 從原材料的制備到封裝、 測試和成品運輸, 以及傳統的和現代的工藝; 提供了詳細的插 掃一掃 ...

Sun Apr 11 00:28:00 CST 2021 0 238
3.2 雙極型晶體管

3.2 雙極型晶體管 3.2.1 晶體管的結構和類型 基區與發射區之間的PN結稱為發射結(Je) 基區與集電區之間的PN結稱為集電結(Jc) 放大的外部條件:Je 正向電壓(正偏),Jc 反向電壓(反偏) 集電區:接收載流子 發射區:發射載流子 基區:控制載流子 雙極型晶體管 ...

Mon Oct 18 05:48:00 CST 2021 0 1187
FinFET與芯片制程

FinFET與芯片制程 芯片制造商已經在基於 10nm 和/或 7nm finFET 准備他們的下一代技術了,但我們仍然還不清楚 finFET 還能堅持多長時間、用於高端設備的 10nm 和 7nm 節點還能延展多久以及接下來會如何。 在 5nm、3nm 以及更小節點,半導體行業還面臨着巨大 ...

Sat Jul 17 14:24:00 CST 2021 0 254
晶體管單管大電路三種基本接法比較

  在電子電路中,放大的對象是變化量,放大的本質是在輸入信號的作用下,通過有源元件(晶體管或場效應管)對直流電源的能量進行控制和轉換,使負載從電源中獲得的輸出信號能量比信號源向放大電路提供的能量大的多。晶體管放大電路有共射、共集、共基三種接法,場效應管有共源、共漏接法(與晶體管放大電路共射、共集 ...

Mon Mar 10 06:43:00 CST 2014 2 3996
ALD和CVD晶體管薄膜技術

ALD和CVD晶體管薄膜技術 現代微處理器內的晶體管非常微小,晶體管中的一些關鍵薄膜層甚至只有幾個原子的厚度,光是英文句點的大小就夠容納一百萬個晶體管還綽綽有余。ALD 是使這些極細微結構越來越普遍的一種技術。 ALD 工藝直接在芯片表面堆積材料,一次沉積單層薄膜幾分之一的厚度,以盡可能生成 ...

Sun May 16 16:29:00 CST 2021 0 1854
 
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