3.2 雙極型晶體管
3.2.1 晶體管的結構和類型
基區與發射區之間的PN結稱為發射結(Je)
基區與集電區之間的PN結稱為集電結(Jc)
放大的外部條件：Je 正向電壓（正偏），Jc 反向電壓（反偏）
集電區：接收載流子
發射區：發射載流子
基區：控制載流子
雙極型晶體管結構特點：
基區很薄且摻雜濃度最低；
發射區的摻雜濃度高，
集電區摻雜濃度比發射區低很多，集電結面積大於發射結面積
3.2.2 晶體管的三種組態
雙極型晶體管有三個電極，其中兩個可以作為輸入，兩個可以作為輸出，這樣必然有一個電極是公共電極。三種接法也稱三種組態，如共發射極接法，也稱共發射極組態，簡稱共射組態，發射極是公共電極。
3.2.3 晶體管的電流放大作用
ICBO的大小取決於少數載流子的濃度，受溫度影響較大。
3.2.4 晶體管的共射特性曲線
const=常數
當UCE=0時，即三極管的集電極和發射極短接在一起，此時從輸入回路來看，基極與發射極之間相當於兩個PN結（發射結和集電結）並聯，因此，此時相當於二極管的正向伏安曲線。
當UCE>0時，集電極電壓的極性將有利於將發射區擴散到基區的電子收集到集電極。此時發射區發射的電子只有一小部分在基區與空穴復合，成為iB，大部分被集電極收集，成為ic,。與第一種情況相比，iB將減小很多，輸入曲線右移。
當UCE繼續增大時，嚴格來說，輸入曲線會右移。但是，當UCE增大到一定值后，集電極電壓已足以將擴散到基區的電子都收集到集電極，此時UCE再增大，iB也不會減小很多。因此，當UCE大於一定值后，不同UCE的各條輸入曲線幾乎重疊再一起。所以，常常用UCE大於某一數值（例如UCE=2V）時的一條輸入特性來代表UCE更高的情況。
在實際的放大電路中，三極管的UCE一般都大於零。
晶體管工作在截止區：發射結反偏，集電結反偏
工作在飽和區的電流放大洗漱小於工作在放大區的電流放大系數
3.2.5 晶體管的主要參數
3.2.6 晶體管的溫度特性
3.2.7 晶體管的型號和封裝
