上圖是terasic公司提供的SDRAM控制器,大部分已經封裝好,我們需要修改其中部分代碼,以此來實現我們自己需要的功能。 1.PLL時鍾設定 首先上面的sdram_pll.v中產生上一篇博客所需要的“驅動時鍾”和“控制時鍾”,這兩個時鍾由於PCB走線延時,兩個時鍾會有一定的時間差 ...
前面幾篇博客已經講到了關於 V 的相關驅動問題,那么OV 驅動成功之后,設定OV 輸出RGB 格式,那么對於 x x ,那么若是選用FIFO,應該設置為位寬 bit,存儲深度為 萬,但是這樣是不現實的。所以采用存儲深度更大的SDRAM來實現數據的緩存。 要么對於SDRAM的學習資料,筆者列舉以下幾篇文檔供大家學習。 當然還有之前各位大神寫的博客,都可以進行參考,這里不一一列舉。 本篇博客先整體介 ...
2016-01-20 09:54 0 3070 推薦指數:
上圖是terasic公司提供的SDRAM控制器,大部分已經封裝好,我們需要修改其中部分代碼,以此來實現我們自己需要的功能。 1.PLL時鍾設定 首先上面的sdram_pll.v中產生上一篇博客所需要的“驅動時鍾”和“控制時鍾”,這兩個時鍾由於PCB走線延時,兩個時鍾會有一定的時間差 ...
上一篇博客主要講解了一下SDRAM整體結構以及PCB方面的注意事項。接下來講解一下需要用到的一些命令。 1.常用命令的縮寫 上述是常用到的一些指令集。 2.模式寄存器 (1)突發長度 通過對A0~A11的控制來實現SDRAM的常用配置。首先A0~A2是突發長度的控制 ...
本篇博文共有兩種刷新方式 SDRAM數據手冊給出每隔64ms就要將所有行刷新一遍, 因此每隔64_000_000 ns/2^12=15625ns 就要刷新一次。(因為一個L-Bank的行是12位,所以一共有2^12行)。 假設我的時鍾頻率是100Mhz(一個周期是10ns),則只需要每隔 ...
command 模塊總述 SDRAM 的 command 模塊的內容包括如下: 1、對初始化請求、配置模式寄存器、讀/寫、刷新、預充電等命令的一個優先級的控制。 2、對命令執行時間進行控制,依據如圖1,紅圈框起來的都是最小值 ...
目錄 1、SDRAM初始化的內容(結合英文數據手冊) 2、SDRAM初始化的時序 3、代碼的編寫 4、modesim的仿真 SDRAM初始化的內容 SDRAMs must be powered up and initialized in a predefined ...
一、存儲器類型 1、RAM,隨機存取存儲器(Random Access Memory),也叫主存, 是與 CPU 直接交換數據的內部存儲器。可按地址進行讀寫,掉電后數據會丟失。 ...
一、讀寫操作: (一)塊使能 相應的塊和行地址一定要通過ACT激活,在ACT命令和下一個讀寫命令必須有tRCD間隔。 (二)讀操作 讀命令設置之后,輸出緩沖器變成了low_Z。SDRAM能執行組讀出 ...
片內的ram用來存儲啟動代碼,在2440初始化sdram之前,代碼就在片內ram中運行。片內ram裝載的是norflash中的內容,即u-boot。 uboot放在norflash里,nandflash就存放的操作系統。所以norflash相當於電腦的bios ...