上一篇博客主要講解了一下SDRAM整體結構以及PCB方面的注意事項。接下來講解一下需要用到的一些命令。
1.常用命令的縮寫
上述是常用到的一些指令集。
2.模式寄存器
（1）突發長度
通過對A0~A11的控制來實現SDRAM的常用配置。首先A0~A2是突發長度的控制。突發長度的控制如下圖，有突發長度1,2,4,8，還有全頁長度。
突發讀寫方式，突發指的是在同一行中相鄰的存儲單元連續進行數據傳輸的方式，連續傳輸 的周期數就是突發長度，只要指定起始列地址與突發長度，尋址與數據的讀取將自動進行，只需控制好兩端突發讀取命令的間隔周期就能做到連續的突發傳輸。突發長度在模式寄存器的配置中有1.2.4.8，以及256個數據的操作模式。
突發讀寫實現的是連續的讀寫操作，在結束完一次突發讀寫前，不需要進行地址的索引，但需要注意的是，這個連續的讀寫操作是操作的連續，不是地址的連續。
SDRAM的讀寫方式，既可以通過地址的索引實現單個邏輯單元數據的讀/寫，也可以通過 突發連續讀/寫實現最多256個數據的連續操作，為了實現更高的帶寬，可以采用突發連續讀/寫方式來實現海量數據的高速讀/寫。
（2）突發類型和讀寫方式
在模式寄存器配置中還可以設定SDRAM突發讀寫方式為順序讀寫或者交錯讀寫。
為了實現海量數據的傳輸，這里選擇突發讀寫，突發類型選擇連續。
3.SDRAM初始化時序
有嚴格的流程：
板卡上電初始化---200us等待SDRAM啟動（手冊中至少需要100us）----所有L-BANK預充電（給所有L-BANK的電容充電，准備預刷新）-----8個預先刷新周期（手冊規定至少2個周期來刷新邏輯塊，在設計中一般直接給8個周期）----模式寄存器的配置（寄存器配置完畢后，輸出SDRAM_init_done信號 ,標志初始化完畢）。
4.數據手冊相關內容
筆者之前使用過的一款SDRAM芯片，驅動時鍾133MHz，CAS潛伏周期時間為3，這個參數決定了SDRAM的最高運行速率。
總容量 = 行數 x 列數 x bank 數 x 位寬 = 1 bank單元數 x bank 數 x 位寬 ；
DQM的位寬 = 數據寬度/8，如32bit的SDRAM，DQM[2]對應DQ[23:16].
關於DQM的作用是起到掩膜作用，就是指定輸出時候，某一段是不輸出的。下圖是DQM的時序圖。
5.SDRAM讀寫時序圖
在上述模式寄存器控制中，A10控制着讀寫當前L-Bank自動進行預充電，再發出預充電命令之后，要經過一段時間才能允許發送RAS行有效命令打開新的工作行，這個間隔稱為預充電有效周期，tRP。
刷新
SDRAM刷新包括自刷新（self refresh）和自動刷新（auto refresh），不論是何種方式，不用提供外部行地址信息，這是一個內部自動操作。
預充電是對一個 或所有的L-Bank中的工作行操作，不是定期的。刷新是固定的周期，依次對所有行進行操作，以保留那些久久沒經過重寫的存儲體中的數據。
由於SDRAM內部是電容結構，需要不斷刷新才能夠保存數值，存儲體中電容的數據有效保存期上限是64ms，刷新速度就是 4096/64ms。也就是64ms必須刷新完所有的行。
6.行有效時序圖
7.列讀寫 tRCD
8.tCL 數據輸出延時時間
9.tWR 數據寫入延時時間
10.突發長度
11.頁傳輸
full page （全頁）突發傳輸是指L-Bank里的一行中所有存儲單元從頭至尾進行連續傳輸，具體的突發長度要看芯片的內容情況。
針對芯片的頁是狹義的，常用的是廣義上的頁。
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對於上述的方法進行總結，SDRAM的驅動方式如下：
首先器件上電----對SDRAM進行初始化（因為內部有邏輯電路部分，狀態機部分）----對SDRAM進行200us的穩定期（參數INIT_PER）----預充電，對所有的L-Bank進行預充電（預充電時間間隔tRP）----8個預先刷新周期（手冊規定至少2個周期來刷新邏輯塊，在設計中一般直接給8個周期，參數REF_PER）----模式寄存器的配置（行選通周期參數tRCD，由於SDRAM內部結構導致更新存儲陣列需要時間---數據輸出延時時間tCL---突發長度BL設置）
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