換工藝時,IC設計數字工藝庫文件是如何對應的?


最近工作涉及到換工藝的事情,之前建好的環境需要對應替換。兩家給到的文件順序大致相同但並不完全一致,作為一個小白,生怕搞錯了對應文件,承擔責任。所以在學會了一些皮毛之后 ,特地來總結和大家分享,歡迎查缺補漏。

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Synopsys文件夾(DC和ICC使用)

  1. Synopsys文件夾中含有.lib 和.db文件是此工藝的時間模型

a)      DC綜合第一部分的目標庫和鏈接庫

b)      內容闡述:

Logiclibrary 是半導體工藝廠商維護並提供的擴展名為.lib (ASCll碼,可讀)或者.db(2進制,DC使用)的庫,庫內包含的是每個邏輯元(比如與非門、反相器、buffer、ram等)的特性和功能信息,比如時間單位、電壓單位、單元名、pin腳名、延時弧、Pin腳負載信息和功耗信息等。該庫中也規定了應用該庫必須滿足的條件,比如線上最大轉換時間、最大扇出值等,這些條件被稱作design rule constrains(DRC)。

c)      必須要:

確定自己協議接口使用的電壓范圍和溫度范圍和工藝庫提供的溫度參數等與.db是否一致。

  1. Synopsys文件夾中含有.sdb文件

a)      作為DC綜合第一部分的符號庫

Wholeset文件夾

  1. TLUPLUS fiie(.itf文件可以轉換為TLUPLUS文件)和LayerMapping file(可以根據tf文件和自己寫):

a)      在ICC布局布線中第一部分 link之后使用

b)      工藝庫文件位置:milkway/tf/gdsinlayer.map

c)      內容闡述:

為了更好的預估延時,最好補充RC 信息:TLUPLUS fiie和LayerMapping file。TLUPLUS文件往往帶.tluplus拓展名后綴,是由ITF (InterconnecttechnologyFormat,ITF文件包含的工藝的物理特性信息,比如層厚度、介電常數、shallow trench Isolatlon和copper dishlng(Desensity Analysis 和width)) 文件經過starRc工具提取RC模型生成的文件,包含RC查找表,當然該文件也可由工藝廠直接提供;而Layyer mapping 文件包含的是technology file和TLUplus file兩文件中金屬層名稱匹配信息。自己寫的話,參考milkway/tf/gdsinlayer.map 和map文件格式,如下圖。

 

 

Milkway文件夾(ICC使用)

  1. .tf文件:technologylibrary包含的是工藝信息:     

a)      在ICC布局布線中第一部分中 set_min_libraty –min_version之后使用create_mw_lib關聯tf文件

b)      工藝庫文件位置:Milkway文件夾中和milkway/tf/工藝庫名_對應層.tf文件

c)      內容闡述:

technology file。technology file通常以.tf文件拓展名給出,包含的信息是每層金屬或通孔標號number和名稱、介電常數、每層的設計規則、每層的物理和電學特性和電子單位精度等。

  1. MW_Reference lib文件:    

a)      在ICC布局布線中第一部分中 set_min_libraty –min_version之后使用create_mw_lib關聯文件

b)      工藝庫文件位置:Milkway文件夾中和milkway/tf/工藝庫

c)      內容闡述:

FRAM 包含部分版圖單元信息,是抽象的版圖單元信息,比如與非門單元輪廓、Pin 腳位置、和金屬層信息等,FRAM主要用於ICC的P&R和DCT中;

  1. Antenna天線效應文件

a)      在ICC布局布線中第六部分Route

b)      工藝庫文件位置:milkway/Antenna/***.tcl

c)      內容闡述: 端口的天線信息


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