一、PVT （Process Voltage Temperature）
電壓、溫度 和 工藝情況等條件組合，形成 PVT(Process、Voltage、Temperature)條件，用於性能分析（時序分析）。
Voltage & Temperature
Process corner
不同的晶片和不同的批次之間，因為摻雜、刻蝕、溫度等外界因素導致MOSFETs參數的變化范圍比較大。
為減輕設計困難度，需要將器件性能限制在某個范圍內，並報廢超出這個范圍的芯片，來嚴格控制預期的參數變化。工藝角即為這個性能范圍。
TT：NMOS -Typical corner & PMOS -Typical corner
FF：NMOS -Fast corner & PMOS -Fast corner
SS：NMOS -Slow corner & PMOS -Slow corner
FS：NMOS -Fast corner & PMOS -Slow corner
SF：NMOS -Slow corner & PMOS -Fast corner
注1：Typical是指晶體管驅動電流（Ids）是一個平均值；Fast是指晶體管驅動電流是最大值；Slow是指晶體管驅動電流是最小值。
注2：5種覆蓋大約+-3 sigma即約99.73% 的范圍。
二、OCV (On-chip Variations)
除了不同晶圓之間，同一晶圓不同芯片之間。同一芯片不同區域之間特性也有差異，主要包括：
1，IR Drop造成局部不同的供電的差異；
2，晶體管閾值電壓的差異；
3，晶體管溝道長度的差異；
4，局部熱點形成的溫度系數的差異；
5，互連線不同引起的電阻電容的差異。
OCV可以描述PVT在單個芯片所造成的影響。更多的時候, 用來考慮長距離走線對時鍾路徑的影響。
在時序分析時引入derate參數模擬OCV效應，其通過改變時延遲的早晚來影響設計。
【基礎文檔】半導體基礎
1）能帶理論
https://zhuanlan.zhihu.com/p/26779118 能帶理論5——近自由電子近似下的能帶和能隙
【參考文檔】
1) http://www.signoffsemi.com/pvt-rc-variation-ocv【基礎】PVT, RC Variation & OCV
2) https://blog.csdn.net/jerryer121/article/details/86487946 【基礎】(轉載)工藝角（Process Corner）PVT(Precess Voltage Temperature)工藝誤差
3) https://blog.csdn.net/weixin_41515979/article/details/101907880【基礎】IC中的PVT
【擴展文檔（工藝基礎）】
1）https://wenku.baidu.com/view/7268dc7da26925c52cc5bfd2.html 半導體集成電路 第14章 版圖設計基礎
2) https://wenku.baidu.com/view/7a90d9ceda38376baf1faef7.html 版圖設計基礎
3) http://webpages.eng.wayne.edu/cadence/ECE6570/ ECE 6570 Smart Sensor Technology I (Cadence)
【引用請聲明出處，yvivid】https://www.cnblogs.com/yvivid/p/process_ic.html