| 場效應管的導通與截止由柵源電壓來控制，對於增強型場效應管來說，N溝道的管子加正向電壓即導通，P溝道的管子則加反向電壓。一般2V～4V就可以了。
但是，場效應管分為增強型（常開型）和耗盡型（常閉型），增強型的管子是需要加電壓才能導通的，而耗盡型管子本來就處於導通狀態，加柵源電壓是為了使其截止。
開關只有兩種狀態通和斷，三極管和場效應管工作有三種狀態，1、截止，2、線性放大，3、飽和（基極電流繼續增加而集電極電流不再增加）。使晶體管只工作在1和3狀態的電路稱之為開關電路，一般以晶體管截止，集電極不吸收電流表示關；以晶體管飽和，發射極和集電極之間的電壓差接近於0V時表示開。開關電路用於數字電路時，輸出電位接近0V時表示0，輸出電位接近電源電壓時表示1。所以數字集成電路內部的晶體管都工作在開關狀態。
場效應管按溝道分可分為Ｎ溝道和Ｐ溝道管（在符號圖中可看到中間的箭頭方向不一樣）。
按材料分可分為結型管和絕緣柵型管，絕緣柵型又分為耗盡型和增強型，一般主板上大多是絕緣柵型管簡稱ＭＯＳ管，並且大多采用增強型的Ｎ溝道，其次是增強型的Ｐ溝道，結型管和耗盡型管幾乎不用。
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管.由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管.它屬於電壓控制型半導體器件.
場效應管是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電,被稱之為雙極型器件.
有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好.
什么叫場效應管？
FET是Field-Effect-Transistor的縮寫,即為場效應晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。FET應用范圍很廣,但不能說現在普及的雙極型晶體管都可以用FET替代。然而，由於FET的特性與雙極型晶體管的特性完全不同，能構成技術性能非常好的電路。 |
