輸入阻抗
輸入阻抗包括感抗、容抗、電阻
輸入阻抗跟一個普通的電抗元件沒什么兩樣，它反映了對電流阻礙作用的大小。
對於電壓驅動的電路，輸入阻抗越大，則對電壓源的負載就越輕，因而就越容易驅動；（電阻越大，電阻兩端分得的電壓也就越大）
而對於電流驅動型的電路，輸入阻抗越小，則對電流源的負載就越輕。（電阻越小，電流就接近電源電流）
因此，我們可以這樣認為：如果是用電壓源來驅動的，則輸入阻抗越大越好；如果是用電流源來驅動的，則阻抗越小越好（注：只適合於低頻電路，在高頻電路中，還要考慮阻抗匹配問題。另外如果要獲取最大輸出功率時，也要考慮阻抗匹配問題。）
輸出阻抗
阻抗是電路或設備對交流電流的阻力，輸出阻抗是在出口處測得的阻抗。阻抗越小，驅動更大負載的能力就越高。
場效應管通俗易懂的使用方法
會用為先，再來理解，一舉拿下，兩全其美。
場效應管和三極管一樣，也是三個引腳，里面也有PN結區域，P表示空穴（正電子），N表示負電子。
N溝道結型場效應管：柵極G電流向內流
分析N溝道EMOS管：
N結的形成是因為電子為載流子，沒有形成共價鍵的電子便成為了載流子。
1.當柵極G引腳懸空時，漏極D和源極S相當於一根導線，載流子為游離的電子；（電流較小）
2.當柵極G引腳接低電平，漏極和源極隨便哪一個極接高電平時，G和N或G和S之間的PN結就反偏，反偏那么GD或GS之間就不會導通，還會導致PN結向中間擴展當中間全部被PN結覆蓋時就意味着阻斷了D極和S極之間的通路。
結論：N溝道EMOS管的柵極G接低電平時，PN結反偏，當反偏電壓加載到反偏截至區時DS之間就不會導通（D極或S極接高電平）
3.當柵極G引腳接高電平，漏極D或源極隨便哪一個接低電平時，導通電壓Vgd或Vgs滿足時，漏極D和源極S之間就導通，並且是大電流導通，因為你就是不接G極時，DS之間也會有電流，但是沒有電流放大作用，在G極接高電平時就對電流經行了放大，並且在G極接低電平，S極或D極接高電平時，SD之間截至。
結論：N溝道EMOS管的柵極接高水平時，PN結正偏導通，對電流有放大作用。
現在用的比較多的MOS管是柵型場效應管（如上圖），且N型溝道用的最多，因為材料便宜導電性質好。
當G極加高電平S極加低電平時，GS導通，GS導通那么SD之間也導通，平時SD之間存在PN結所以不會導通，只有當G極加正向電壓S極加GND時，SD之間才導通。這比以前使用的結型的MOS管更科學更好使用。
最后使用方法：對於柵型場效應管的N溝道管，G極接高電平S極接低電平，SD之間就導通，具有電流放大作用；反之，G極接低電平，SD之間不導通。
P溝道結型場效應管：柵極G電流向外流
N溝道結型場效應管內部原理圖
增強型：EMOS
耗盡型：DMOS
N溝道：NMOS
P溝道：PMOS
N溝道EMOS模型
N溝道EMOS管外部工作應滿足的條件：
1.VDS > 0（漏極和源極之間的電壓必須大於0，保證漏襯PN結反偏）
2.U接電路最低電位或S極（保證源襯PN結反偏）
3.VGS > 0（形成導電溝道）
總結：對於N溝道EMOS管常規操作方法：S極接電源的負極是D極的公共端，所以可以在D極上串聯一個負載，負載的另一端接電源+，而G極高電平接通SD端，而低電平斷開SD端。P溝道EMOS管與N溝道EMOS管邏輯相反，不同之處在於G極是低電平導通SD端且D極接GND，高電平斷開。
全部用法：https://wenku.baidu.com/view/91fd27116f1aff00bfd51ebc.html
舉例說明，左圖為N溝道場效應管（型號IRF630），右圖為P溝道場效應管（型號IRF9640），電源電壓12V，具體到你這個電路中，圖中電阻等元件可以根據實際電路更換相關阻值，從圖中你可以初步了解場效應管做開關電路的接法。
N溝道MOSFET管用法：（柵極G高電平D與S間導通，柵極G低電平D與S間截止，P溝道與之相反）N溝道MOSFET管用法：（柵極G高電平D與S間導通，柵極G低電平D與S間截止，P溝道與之相反）N溝道MOSFET管用法：（柵極G高電平D與S間導通，柵極G低電平D與S間截止，P溝道與之相反）
漏極輸出：G高電平有效（高電平時SD導通，S接低電平為D的公共端）
源極輸出：G低電平有效（低電平時SD導通，D接低電平為S的公共端）