原文:MOS管(場效應管)導通條件

場效應管的導通與截止由柵源電壓來控制,對於增強型場效應管來說,N溝道的管子加正向電壓即導通,P溝道的管子則加反向電壓。一般 V V就可以了。 但是,場效應管分為增強型 常開型 和耗盡型 常閉型 ,增強型的管子是需要加電壓才能導通的,而耗盡型管子本來就處於導通狀態,加柵源電壓是為了使其截止。 開關只有兩種狀態通和斷,三極管和場效應管工作有三種狀態, 截止, 線性放大, 飽和 基極電流繼續增加而集電 ...

2012-02-10 16:13 0 11425 推薦指數:

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場效應管

一、場效應管介紹 場效應管全稱是金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效應晶體管,英文全稱是Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor,取其英文全稱大寫首字母,簡稱MOS或MOSFET。它是電壓控制電流的元器件(即利用柵極電壓來控制漏 ...

Tue Aug 18 04:40:00 CST 2020 0 540
場效應管知識

  場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。   ● 主要有兩種類型     結型場效應管(junction FET,簡稱JFET)     金屬氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱 ...

Tue Mar 15 04:40:00 CST 2022 0 896
1.4場效應管

1.4 場效應管(FET) 1.4.2 絕緣柵型場效應管MOS管) 一、N溝道增強型MOS管 1、結構 g柵極 s源極 d漏極 2、工作原理 習慣上把和B連在一起的叫做源極(s) 若g不動,ds間加電壓則無電流,因為兩個背靠背的PN結永遠有一個反偏,只能測到晶體管的漏電 ...

Sun Aug 16 03:11:00 CST 2020 0 499
MOS管25N120參數,ASEMI場效應管25N120應用

編輯-Z 25N120在TO-220封裝里引出3個引腳,是一款低功耗場效應管。25N120的脈沖二極管正向電流(IFM)為150A,G-E漏電流(IGES)為250nA,其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。25N120的柵極-發射極電壓(VGES)為±20V。25N120的電性參數 ...

Sun Dec 19 00:26:00 CST 2021 0 953
晶體三極管和場效應管

產生電流 IC ,IC = β*IB。那么發射極電流 IE = (1+β)IB。 條件:發射結正偏, ...

Sun Oct 24 01:38:00 CST 2021 0 191
AO3401-ASEMI場效應管AO3401

編輯-Z AO3401在SOT-23封裝里引出3個引腳,是一款低功耗場效應管。AO3401的脈沖漏極電流(IDM)為30A,零柵極電壓漏極電流(IDSS)為1uA,其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。AO3401的柵源電壓(VGS)為±12V。AO3401的電性參數是:持續漏極電流(ID ...

Fri Dec 24 00:44:00 CST 2021 0 985
三極管通條件

1、對於NPN型三極管來說,其功能是用基極B極小的電流去引出集電極C巨大的電流,Ibe電流大小由 Ib基極電流決定。 2、三極管相當於兩個二極管組成,所以只要PN結壓差大於0.7V,有電流有就通了 3、NPN型: 截止態:Ube<0.7V 放大態:Ube>0.7V,Uc> ...

Fri Jun 08 01:18:00 CST 2018 0 1473
 
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