編輯-Z
40N120參數描述
型號：40N120
封裝：TO-220
特性：低功耗場效應管
電性參數：40A 1200V
集電極電流(IC)：40A
脈沖集電極電流(ICM)：160A
集電極-發射極電壓(VCES)：1200V
柵極-發射極電壓(VGES)：±25V
G-E閾值電壓(VGE)：5.5V
G-E漏電流(IGES)：250nA
工作溫度：-55~+150℃
引線數量：3
場效應管40N120具有以下特點：
（1）場效應管40N120是電壓控制器件，通過VGS（柵源電壓）控制ID（漏電流）；
（2）場效應管40N120的控制輸入端電流極小，因此其輸入電阻很大。
（3）40N120采用多數載流子導電，溫度穩定性較好；
（4）由它組成的放大電路的電壓放大系數小於由三極管組成的放大電路的電壓放大系數；
（5）場效應管40N120抗輻射能力強；
（6）由於40N120沒有雜亂的運動電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。
40N120作用：
1、場效應管可用於放大。由於場效應管放大器的輸入阻抗很高，耦合電容可以有更小的容量，不必使用電解電容。
2、場效應管的高輸入阻抗非常適合進行阻抗變換。常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3、場效應管可作為可變電阻使用。
4、場效應管可方便地用作恆流源。
5、場效應管可作為電子開關使用。
40N120使用優勢：
場效應管是電壓控制元件，晶體管是電流控制元件。當只允許從信號源汲取較少電流時，應使用場效應管；當信號電壓低並且允許從信號源汲取較多電流時，應使用晶體管。場效應管使用多數載流子導電，因此稱為單極器件，而晶體管同時使用多數載流子和少數載流子導電，稱為雙極器件。有些場效應管的源漏極可以互換使用，柵極電壓也可以正負，比三極管靈活。
場效應管可以在非常小的電流和非常低的電壓條件下工作，其制造工藝可以很容易地將許多場效應管集成在一個硅芯片上，因此場效應管被用於大規模集成電路中。