編輯-Z
7N60詳細參數：
型號：ASEMI場效應管7N60
漏源電壓（VDSS）：600V
柵源電壓（VGSS）：±30V
持續漏極電流（ID）：7A
脈沖漏極電流（IDM）：28A
雪崩電流（IAR）：7A
工作結點和存儲溫度范圍（TJ,TSTG）：-55 to +150℃
最大功耗（PD）：155W
零柵極電壓漏極電流（IDSS）：1uA
正向門體漏電流（IGSSF）：10uA
柵源閾值電壓（VGS(th)）：4V
漏源導通電阻（RDS(on)）：1.2Ω
輸入電容（Ciss）：1460pF
輸出電容（Coss）：236pF
開啟延遲時間（td(on)）：13ns
關斷延遲時間（td(off)）：26ns
總柵極電荷（Qg）：32nC
連續二極管正向電流（IS）：7A
脈沖二極管正向電流（ISM）：28A
二極管正向電壓（VSD）：1.5V
反向恢復時間（trr）：648ns
反向恢復電荷（Qrr）：4.8uC
7N60特征：
低柵極電荷
低輸入電容
快速切換
100%雪崩測試
改進的dv/dt功能
7N60應用領域：電源、網絡、通訊、汽車電子、工業控制、醫療設備、LED照明、HID整流器、傳感器、語音分離器、隔離器、RJ45、安防、電機、無線充電器、藍牙模塊、消費電子、計算機和周邊產品等行業。
