IGBT功率半導體器件 IGBT在MOSFET基礎上升級，市場空間增速快。IGBT 作為半導體功率器件中的全控器件，由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，有MOSFET 的高輸入阻抗和GTR 的低導通壓降兩方面的優點 ...

4.2 功率半導體器件概述 功率半導體設計中最根本的挑戰是獲得高擊穿電壓，同時保持低正向壓降和導通電阻。一個密切相關的問題是高壓低導通電阻器件的開關時間更長。擊穿電壓，導通電阻和開關時間之間的折衷是各種功率器件的關鍵區別特征。 反向偏置的PN結及其相關的耗盡區的擊穿電壓是摻雜程度的函數：在PN ...

一、芯片概念 芯片和半導體是同一個事物的兩個名字，芯片是半導體產業的產品，半導體是用來做芯片的材料。 半導體，在不同電流控制下可以表現出不同的導電，或者不導電的特性。 電子管——>晶體管——>集成電路 縮小晶體管體積 -> 擴大集成電路規模 -> 構建性能更強價格 ...

日本半導體材料 近兩年日本限制含氟聚酰亞胺、光刻膠，以及高純度氟化氫這三種材料的對韓出口，引起了整個半導體領域的震動。 畢竟韓國目前是全球半導體強國之一，尤其在液晶面板、OLED屏、內存上處於世界領先地位，這三種材料被限后，或影響產能，甚至導致整個世界產業格局的變化。 針對 ...

二、半導體二極管及其基本應用電路 2.1 半導體二極管是最基本的電子器件，是集成電路的最小組成單元。 2.2 半導體 按導電能力的不同，物體可分為導體、半導體和絕緣體 半導體材料有硅、鍺、硒以及部分金屬氧化物和硫化物 常用的半導體材料硅（Si)和鍺（Ge）的原子序數為14和32，最外層 ...

半導體大硅片 材料和設備是半導體行業的兩大核心支柱，硅片占比半導體材料市場銷售額高達36.6%，是晶圓廠采購材料中最重要的環節 。 我國半導體硅片市場仍主要依賴進口，2017年至2019年，中國大陸半導體硅片銷售額年均復合增長率遠高於同期全球半導體硅片的年均復合增長率，我國企業具有很大的進口 ...

最近看了一遍半導體物理和半導體器件物理，准備總結一下。 涉及的內容和概念非常多，需要寫好多篇，並配合圖片和思維導圖。同時復習以前做過的習題、ppt、整理出的考研題等等。 但其實想要系統的理解其原理，還需要一些量子、電磁場、熱力學、固體物理的知識，才能完整的掌握。當然這些課我學 ...

摘要：P型半導體和N半導體接觸面區域，少子擴散運動和多子擴散運動達到平衡的區域就是PN節，PN節具有單項導電的作用。 正文： 1、半導體具有熱敏、光敏、摻雜特性； 2、雜質半導體的導電特性優於本征半導體； 3、半導體導電由自由電子和空穴共同完成； 4、PN結形成的過程及內部載流子的運動 ...