近年來，片上存儲器發展迅速，根據國際半導體技術路線圖（ITRS），隨着超深亞微米制造工藝的成熟和納米工藝的發展，晶體管特征尺寸進一步縮小，半導體存儲器在片上存儲器上所占的面積比例也越來越高。接下來宇芯電子介紹SRAM的工作原理以及工作過程。 SRAM 寫操作。寫操作就是把數據寫入指定的SRAM ...

靜態RAM的基本構造塊是SRAM存儲單元。通過升高字線的電平觸發存儲單元，再通過位線對所觸發的存儲單元進行讀出或寫入。在靜態CMOS存儲器中，存儲單元陣列將會占去整個存儲器芯片面積的一半以上，在一些大容量的SRAM中，這個比例還要更大一些。因而減小存儲單元出的面積變得尤為重要。一方面我們希望單元 ...

（Look Up Table，LUT）結構。 查找表的原理類似於ROM，其物理結構是靜態存儲器（SRAM）， ...

　　靜態數據存儲器SRAM是存儲數據比較重要的器件，它由鎖存器陣列構成。SRAM外部接口包括片選端口，讀允許端口，寫允許端口，地址端口，數據輸出端口，數據輸入端口。在讀寫數據時，SRAM根據地址信號，經由譯碼電路選擇讀寫的相對應的存儲單元。基本結構圖如下： 　　例如8*8位SRAM。我們常見 ...

SRAM、TCAM 　　靜態隨機存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恆常保持。相對之下，動態隨機存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數據就需要周期性地更新 ...

1. SRAM芯片的常用引腳：地址線、數據線、讀寫控制線、選擇線。 2. SRAM芯片的引腳位數： 地址線的位數 = 芯片內的字數，例如：1024個字的芯片應該有10位地址線（1024 = 2^10，也就是1KB）。 數據線的位數 = 每個存儲單元的位數，例如：1K x 8b的芯片 ...

SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。SRAM具有較高的性能，功耗較小。SRAM主要用於二級高速緩存。它利用晶體管來存儲數據。但是SRAM也有它的缺點，集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM ...

特點簡介： SRAM ：靜態RAM，不用刷新，速度可以非常快，像CPU內部的cache，都是靜態RAM，缺點是一個內存單元需要的晶體管數量多，因而價格昂貴，容量不大。 DRAM：動態RAM，需要刷新，容量大。 SDRAM：同步動態RAM，需要刷新，速度較快，容量大。 DDR SDRAM：雙通道 ...