SRAM、TCAM
靜態隨機存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恆常保持。相對之下，動態隨機存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數據就需要周期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數據還是會消失（被稱為volatile memory），這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，功耗較DRAM大 [1] ，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。SRAM主要用於二級高速緩存（Level2 Cache)。它利用晶體管來存儲數據。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內存小。
TCAM (ternary content addressable memory)是一種三態內容尋址存儲器，主要用於快速查找ACL、路由等表項。特點：
- TCAM 表內所有條目都可以並行訪問，比如，如果你有100條ACL，TCAM能一次就能對比這100條ACL進行對比操作，過去如果有100條ACL的話，需要第一條ACL對比完后再對比第二條，然后第三條，直至N條，效率很明顯沒有TCAM高。
- TCAM成本比較高，存儲空間的單位價格高於普通的sram，而且耗能也遠遠高於sram
相關用途主要有：
- Ethernet Switching設備中的二層MAC地址、ARP/RARP解析和三層IP路由表項的存儲和查找；
- Emerging Protocols and functions方面的MPLS label表項的存儲和查找；
應用：
傳統的表項查找方法有很多，主要有：線型查找法、二叉樹查找法、哈希表查找等，這些查找方法都是基於SRAM的軟件查找方法，共同特點是查找速度慢。線型查找法需要遍歷表中的所有表項；二叉樹查找法需要遍歷樹中大多數節點，而且查找速度受樹的深度影響較大；哈希表查找法是軟件查找中較快的一種方法，它是根據設定的哈希函數H(key)和處理沖突方法將一組關鍵字映象到一個有限的地址區間上，並以關鍵字在地址區間中的象作為記錄在表中的存儲位置，這種表稱為哈希表或散列，所得存儲位置稱為哈希地址或散列地址。雖然哈希表查找法相對來說比較快，但還是滿足不了高速實時通信系統(如40G/100G POS)的極速查找需求。 基於硬件的TCAM查找法正是在這種背景下提出的，用此方法進行查找時，整個表項空間的所有數據在同一時刻被查詢，查找速度不受表項空間數據大小影響，每個時鍾周期完成一次查找，平均查找速度是基於SRAM算法查找的6倍，最好情況下，能達到128倍。
