一個SRAM單元如上圖所示，M1 M2，M3 M4分別組成反相器，兩個反相器首尾相連。M5與M6為兩個NOMS，他們的柵極連接再WL上，讀寫時，都需要在WL上加電壓。
如何讀取SRAM中存儲的電壓
當讀取時，BLn和 BL兩根線上加標准電壓。假設Q為高電平（Q=1），Qn則為低電平（Qn=0）。
當WL=1時，M5 M6打開，
由於Q=1，M1處於打開狀態，BLn經過M5 M1接至地面，此時BLn=0。
由於Qn=0, M3處於斷開狀態，BL保持高電平。
此時讀出SRAM所存儲的高電平，反之，如果Q為低電平，Qn為高電平時，BL=1，BLn=0.
當寫入時，若寫入0，則BL為低電平，BLn為高電平
當WL=1時，M5 M6打開，
由於BL=0，所以Q=0。M1為關斷狀態，BLn與Qn相連，Qn=1。寫入0（reset）完成。
當寫入1時，BL為高電平，BLn為低電平
當WL=1時，M5 M6打開，
由於BLn=0，所以Qn=0。M3為關斷狀態，BL與Q相連，Qn=0。寫入1完成。