一个SRAM单元如上图所示，M1 M2，M3 M4分别组成反相器，两个反相器首尾相连。M5与M6为两个NOMS，他们的栅极连接再WL上，读写时，都需要在WL上加电压。
如何读取SRAM中存储的电压
当读取时，BLn和 BL两根线上加标准电压。假设Q为高电平（Q=1），Qn则为低电平（Qn=0）。
当WL=1时，M5 M6打开，
由于Q=1，M1处于打开状态，BLn经过M5 M1接至地面，此时BLn=0。
由于Qn=0, M3处于断开状态，BL保持高电平。
此时读出SRAM所存储的高电平，反之，如果Q为低电平，Qn为高电平时，BL=1，BLn=0.
当写入时，若写入0，则BL为低电平，BLn为高电平
当WL=1时，M5 M6打开，
由于BL=0，所以Q=0。M1为关断状态，BLn与Qn相连，Qn=1。写入0（reset）完成。
当写入1时，BL为高电平，BLn为低电平
当WL=1时，M5 M6打开，
由于BLn=0，所以Qn=0。M3为关断状态，BL与Q相连，Qn=0。写入1完成。