近年来，片上存储器发展迅速，根据国际半导体技术路线图（ITRS），随着超深亚微米制造工艺的成熟和纳米工艺的发展，晶体管特征尺寸进一步缩小，半导体存储器在片上存储器上所占的面积比例也越来越高。接下来宇芯电子介绍SRAM的工作原理以及工作过程。 SRAM 写操作。写操作就是把数据写入指定的SRAM ...

静态RAM的基本构造块是SRAM存储单元。通过升高字线的电平触发存储单元，再通过位线对所触发的存储单元进行读出或写入。在静态CMOS存储器中，存储单元阵列将会占去整个存储器芯片面积的一半以上，在一些大容量的SRAM中，这个比例还要更大一些。因而减小存储单元出的面积变得尤为重要。一方面我们希望单元 ...

（Look Up Table，LUT）结构。 查找表的原理类似于ROM，其物理结构是静态存储器（SRAM）， ...

　　静态数据存储器SRAM是存储数据比较重要的器件，它由锁存器阵列构成。SRAM外部接口包括片选端口，读允许端口，写允许端口，地址端口，数据输出端口，数据输入端口。在读写数据时，SRAM根据地址信号，经由译码电路选择读写的相对应的存储单元。基本结构图如下： 　　例如8*8位SRAM。我们常见 ...

SRAM、TCAM 　　静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新 ...

1. SRAM芯片的常用引脚：地址线、数据线、读写控制线、选择线。 2. SRAM芯片的引脚位数： 地址线的位数 = 芯片内的字数，例如：1024个字的芯片应该有10位地址线（1024 = 2^10，也就是1KB）。 数据线的位数 = 每个存储单元的位数，例如：1K x 8b的芯片 ...

SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。SRAM具有较高的性能，功耗较小。SRAM主要用于二级高速缓存。它利用晶体管来存储数据。但是SRAM也有它的缺点，集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM ...

特点简介： SRAM ：静态RAM，不用刷新，速度可以非常快，像CPU内部的cache，都是静态RAM，缺点是一个内存单元需要的晶体管数量多，因而价格昂贵，容量不大。 DRAM：动态RAM，需要刷新，容量大。 SDRAM：同步动态RAM，需要刷新，速度较快，容量大。 DDR SDRAM：双通道 ...