IGBT功率半導體器件
IGBT功率半導體器件 IGBT在MOSFET基礎上升級，市場空間增速快。IGBT 作為半導體功率器件中的全控器件，由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，有MOSFET 的高輸入阻抗和GTR 的低導通壓降兩方面的優點 ...
原文：功率器件封裝失效分析及工藝優化研究
本篇是摘自佛山市藍箭電子股份有限公司的陳逸晞同志。 封裝工藝是為了提升電子設備運行的可靠性，采取的相應保護措施，即針對可能發生的力學 化學或者環境等不確定因素的攻擊，利用封裝技術和特殊材料對電子設備進行保護。封裝技術已經廣泛應用於航空航天設備 汽車 計算機以及移動通信設備等諸多領域中。但伴隨着超低壓 超高壓 強濕熱 大溫差等特殊條件下電子設備運行要求的增加，加之封裝器件日趨大功率應用 小尺寸化 功 ...
2021-11-03 22:40 0 1138 推薦指數：
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