SRAM（靜態）存儲器芯片的讀/寫周期
一、 要保證正確地讀/寫，必須注意CPU時序與存儲器讀/寫周期的配合。一般存儲器芯片手冊都會給出芯片讀/寫周期的時序圖。 Intel 2114芯片的讀、寫周期時序如圖所示。 二、 讀周期 讀操作時，必須保證片選信號為低電平，讀寫信號為高電平。tRC （讀周期時間）：指對芯片連續兩次讀操作 ...
原文：關於SRAM芯片的那些事
. SRAM芯片的常用引腳：地址線 數據線 讀寫控制線 選擇線。 . SRAM芯片的引腳位數： 地址線的位數 芯片內的字數，例如： 個字的芯片應該有 位地址線 ，也就是 KB 。 數據線的位數 每個存儲單元的位數，例如： K x b的芯片應該有 位數據線。 讀寫控制線可以合並為一根，例如：高電平讀 低電平寫，也可以用兩根分別控制。 . 小練習： 若某SRAM芯片的容量標稱是 x K，則該芯片有： ...
2020-03-27 22:29 0 899 推薦指數：
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