SRAM的英文全稱為Static Random Assess Memory，意為靜態隨記存儲器。SRAM屬於易失性存儲器，
就是掉電之后，存儲器中的內容便會丟失。
IS62WV51216芯片是 ISSI 芯成半導體公司的產品。容量為512K word，數據最小長度為16-Bits。芯片
一次數據讀寫的最短時間有45ns或55ns兩種模式，工作電壓2.5-3.6V。
芯片采用44腳TSOP封裝。
CS1/ : 片選使能，低有效
OE/ : 輸出使能，低有效
WE/ : 寫使能， 低有效
A0 - A18：地址線
I/O 0 - I/O 15 ：數據線
UB/ LB/ : 高8位數據控制 低8位數據控制，低有效
Vdd ：電源正
GND : 電源地
與STM32F407ZGT6連接使用方法如下：
1 IS62WV51216芯片5腳地址線A0，連接F407的10腳，即FSMC_A0，依次連接到A15；
2 IS62WV51216芯片7腳數據線D0，連接F407的85腳，即FSMC_D0，依次連接到D15；
3 IS62WV51216芯片6腳片選線CS1/，連接F407的125腳FSMC_NE3；
4 IS62WV51216芯片41腳輸出使能線OE/，連接F407的118腳FSMC_NE3FSMC_NOE；
5 IS62WV51216芯片17腳寫使能線WE/，連接F407的119腳FSMC_NWE；
6 IS62WV51216芯片40腳高8位數據控制UB/ ，連接F407的142腳FSMC_NBL1；
7 IS62WV51216芯片39腳低8位數據控制LB/ ，連接F407的141腳FSMC_NBL0；
8 IS62WV51216芯片 Vdd接3.3V, GND 接地