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AO3400結合先進的溝槽MOSFET技術和低電阻封裝，提供極低的RDS(ON)，適用於負載開關或在PWM應用。下面分別介紹一下ASEMI場效應管AO3400概述，AO3400參數，AO3400特性曲線。
AO3400概述
30V N溝道MOSFET
Vds 30V
Id（Vgs=10v情況下） 5.8A
Rds(ON) (Vgs=10v情況下) <28mΩ
Rds(ON) (Vgs=4.5v情況下) <33mΩ
Rds(ON) (Vgs=2.5v情況下) <52mΩ
AO3400參數描述
型號：AO3400
封裝：SOT-23
電性參數：5.8A 30V
漏源電壓（Vds）：30v
柵源電壓 (Vgs)：±12v
連續漏極電流（Id 25°C）：5.8A
連續漏極電流（Id 70℃）：4.9A
功率損耗（PD 25℃）：1.4W
功率損耗（PD 70℃）：0.9W
結點和存儲溫度范圍（溫度范圍）：-55~150℃
了解AO3400輸出特性曲線：
輸出特性曲線是在VDS之間不加其他負載的情況下繪制的，所以輸出特性曲線上的ID就是在UGS電壓下ID所能提供的最大電流。從原理上講，DS之間有一個電阻，由UGS和UDS控制，就是溝道。當它工作在恆流區時，這個電阻只受UGS控制，所以當工作在恆流區時，可以通過改變UGS來改變RDS的電阻，流過它的電流ID就會改變。
實際控制過程實際上是通過UGS來控制溝道電阻的變化，電阻的變化引起電流ID的變化。在實際分析計算過程中，跳過了溝道控制環節，直接用gm低頻互導參數代替UGS與ID的變化關系，該參數取自轉移特性曲線。