原文:ASEMI場效應管AO3400概述,AO3400參數,AO3400特性曲線

編輯 Z AO 結合先進的溝槽MOSFET技術和低電阻封裝,提供極低的RDS ON ,適用於負載開關或在PWM應用。下面分別介紹一下ASEMI場效應管AO 概述,AO 參數,AO 特性曲線。 AO 概述 V N溝道MOSFET Vds V Id Vgs v情況下 . A Rds ON Vgs v情況下 lt m Rds ON Vgs . v情況下 lt m Rds ON Vgs . v情況下 lt ...

2021-12-23 16:43 0 1032 推薦指數:

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AO3400-ASEMI高效mos管AO3400

編輯-Z AO3400在SOT-23封裝里引出3個引腳,是一款高效mos管。AO3400的脈沖漏極電流(IDM)為30A,零柵極電壓漏極電流(IDSS)為1uA,其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。AO3400的柵源電壓(VGS)為±12V。AO3400的電性參數是:持續漏極電流(ID ...

Thu Dec 09 00:38:00 CST 2021 0 124
AO3400-ASEMI低功耗長效應AO3400

編輯:ll AO3400-ASEMI低功耗長效應AO3400 型號:AO3400 品牌:ASEMI 封裝:SOT-23 電性參數5.8A 30V 正向電流:5.8A 反向耐壓:30V 恢復時間: 引腳數量:3 芯片個數:1 芯片尺寸: 封裝尺寸:如圖 特性場效應管 ...

Fri Dec 10 19:13:00 CST 2021 0 894
ASEMI場效應管AO3401參數AO3401規格,AO3401特征

編輯-Z 場效應管AO3401參數: 型號:AO3401 漏源電壓(VDS):30V 柵源電壓(VGS):±12V 連續漏極電流(I):4.2A 脈沖漏極電流(IDM):30A 功耗(PD):1.4W 結溫和存儲溫度范圍(TJ, TSTG):-55 to 150℃ 漏源擊穿電壓 ...

Sun Feb 27 00:15:00 CST 2022 0 1890
AO3401-ASEMI場效應管AO3401

編輯-Z AO3401在SOT-23封裝里引出3個引腳,是一款低功耗場效應管AO3401的脈沖漏極電流(IDM)為30A,零柵極電壓漏極電流(IDSS)為1uA,其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。AO3401的柵源電壓(VGS)為±12V。AO3401的電性參數是:持續漏極電流(ID ...

Fri Dec 24 00:44:00 CST 2021 0 985
ASEMIAO3401是場效應管嗎,AO3401和三極管有什么區別?

編輯-Z ASEMIAO3401是屬於場效應管,屬於電壓控半導體器件,AO3401具有高輸入電阻、低噪聲、低功耗、無二次擊穿現象、安全工作區寬、溫度和輻射影響小等優點,AO3401特別適用於高靈敏度和低噪聲電路。 AO3401參數描述 型號:AO3401 封裝:SOT-23 特性 ...

Fri Dec 10 00:56:00 CST 2021 0 1148
絕緣柵型場效應管的結構、特性參數

絕緣柵型場效應管的結構、特性參數 本文介紹的定義 一、N溝道增強型MOS場效應管結構 二、N溝道增強型MOS場效應管特性曲線 三、N溝道耗盡型MOS場效應管結構和特性曲線 本文介紹 ...

Sat Jan 29 05:52:00 CST 2022 0 1038
結型場效應管的結構、特性參數

結型場效應管的結構、特性參數 本文介紹的定義 一、N溝道結型場效應管結構 二、N溝道結型場效應管特性曲線 本文介紹的定義 場效應管、結型場效應管、N溝道結型場效應管的結構、耗盡層 ...

Sat Jan 29 05:52:00 CST 2022 0 1185
MOS管25N120參數ASEMI場效應管25N120應用

編輯-Z 25N120在TO-220封裝里引出3個引腳,是一款低功耗場效應管。25N120的脈沖二極管正向電流(IFM)為150A,G-E漏電流(IGES)為250nA,其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。25N120的柵極-發射極電壓(VGES)為±20V。25N120的電性參數 ...

Sun Dec 19 00:26:00 CST 2021 0 953
 
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