攝像頭PVD和CVD薄膜
在FDP 的生產中，在制作無機薄膜時，可以采用的方法有兩種：PVD 和CVD (將VE 和VS 歸於PVD ，而ALD 歸於CVD)。
Physical Vapor Deposition (PVD)
Physical Vapor Deposition (PVD)稱為物理氣象沉淀技術。該技術在真空條件下，通過先將材料源（固體或液體）表面氣化成氣態原子、分子，或部分電離成離子，通過低壓氣體(或等離子體)過程，在基體表面沉積，具有某種特殊功能的薄膜的技術。
PVD 沉積流程，可以粗略的被分為鍍料的汽化、鍍料的遷移和鍍料的沉積三個部分。
PVD 沉積過程
根據工藝的不同，PVD 可以提進一步分為真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍膜、離子鍍膜和分子束外延等。
真空蒸鍍(Vacuum Evaporation)
真空蒸鍍(Vacuum Evaporation)，在真空條件下，使金屬、金屬合金或化合物蒸發，然后沉積在基體表面上的工藝。
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比較常用的蒸發方法，電阻加熱、高頻感應加熱或用電子柬、激光束以及離子束高能轟擊鍍料等。
VE 簡要設備原理圖
濺射鍍膜(Vacuum Sputtering)
濺射鍍膜(Vacuum Sputtering)基本原理是充氬(Ar)氣的真空條件下，使氬氣進行輝光放電，這時氬(Ar)原子電離成氬離子(Ar+)，氬離子在電場力的作用下，加速轟擊以鍍料制作的陰極靶材，靶材會被濺射出來，而沉積到工件表面。
根據采用電流的不同，該工藝可以進一步分為，采用直流輝光放電的直流(Qc)濺射、采用射頻(RF)輝光放電的射頻濺射，以及磁控(M)輝光放電引起的稱磁控濺射。
電弧等離子體鍍膜
電弧等離子體鍍膜基本原理，在真空條件下，用引弧針引弧，使真空金壁(陽極)和鍍材(陰極)之間進行弧光放電，陰極表面快速移動着多個陰極弧斑，不斷迅速蒸發，使之電離成以鍍料為主要成分的電弧等離子體，並能迅速將鍍料沉積於基體。
因為有多弧斑，所以也稱多弧蒸發離化過程。
離子鍍
離子鍍基本原理，在真空條件下，采用某種等離子體電離技術，使鍍料原子部分電離成離子，同時，產生許多高能量的中性原子，在被鍍基體上加負偏壓。
這樣在深度負偏壓的作用下，離子沉積於基體表面形成薄膜。
PVD 技術不僅能用於金屬膜和合金膜的沉積，還可以用於沉積化合物、陶瓷、半導體和聚合物膜等材料。
在顯示屏生產中，真空蒸鍍PVD 技術被用於，沉積活潑的金屬電極，以及在用FMM 工藝的AMOLED 中沉積小分子的HIL/HTL/EML/ETL/EIL 等，而磁控濺射PVD 技術被用於，制備信號的Al、Cr、Ta、Mo 等金屬上，以及像素電極的透明ITO 上。
Table1 磁控濺射與其他鍍膜方式比較
膠原蛋白
Chemical Vapor Evaporation (CVD)
Chemical Vapor Evaporation (CVD) 為化學氣象沉積，指高溫下的氣相反應。
例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原，或使混合氣體在高溫下發生化學反應，析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。
該工藝主要是指在較高溫度下的氣相反應，廣泛用於耐熱物質圖層、高純度金屬的制作和半導體薄膜制作中。
CVD 工藝主要包括五種基本的化學反應過程，如：
• 高溫分解
• 光分解
• 還原反應
• 氧化反應
• 氧化還原反應
CVD 反應物質源，根據常態下相態的不同，進一步可以為：
• 氣態物質源：在室溫下呈氣態的物質(H2、N2、CH4 和Ar 等)。采用氣態物質源時，只需要用流量計來控制反應氣體的流量，而不要控制溫度，大大簡化了圖層設備系統。
• 液態物質源：在室溫下成液態的反應物質，比如TiCl4、CH3CN、SiCl4和BCl3等。在采用液態物質源時，通過控制載氣和加熱溫度，控制液態物質源進入沉積室的量。
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• 固態物質源：在室溫下為固態的物質，比如AlCl、NbCl5、TaCl5、 ZrCl5 和HfCl4 等。該類物質需要在較高的溫度下才能升華出需要的蒸汽量，在使用該類工藝時，需要對加熱溫度和在載氣量進行嚴格控制。
Table 2 可用CVD 成膜的材料和氣體源
根據工藝溫度、壓力和原理的不同，CVD 又可以再進一步被細分為多個子項。因為在FDP 生產中玻璃耐溫性有限，在Display 生產中主要采取的是PECVD 工藝去制作含Si 層，比如a-Si、SiO2 和SiNx。
Table 3 Display 制造中幾種CVD 技術的優缺點
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
PECVD (原理) 是借助微波，或射頻等，含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。
為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，這種CVD 稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)。
在Display 的制作中，PECVD 主要用於制作a-Si 的成膜、柵極絕緣膜和保護膜。
PECVD 成膜機理
• SiNx 絕緣膜：通過SiH4、N2 和NH3 混合氣體作為反應氣體，通過輝光放電生成等離子在襯底上成膜。
• Si:H：SiH4 氣體在反應腔體中通過輝光放電，經過一些列初級和次級反應，生成離子和子活性團等較為復雜的反應產物，最終生產a-Si:H 薄膜沉積在基板上，直接參與成膜生長的是一些中性產物，比如SiHn(n:0~3)。
在薄膜生長時，如果采取1 次成膜工藝，在薄膜生長過程中的缺陷會沿着成膜方向不斷生長，從而暴露在表面。
因為低速成膜的缺陷比高速成膜缺陷少，為了在Bottom Gate 機構中得到致密的a-Si:H 薄膜(假設2000 Å)可以通過先低速生長300Å，再高速生長1700 Å，其中300 Å作為TFT 溝道(部分由第一步產生的缺陷會被第二步覆蓋掉)。兩步成膜法亦可以用於絕緣層的制作。
Table 4 幾種PECVD 制備的薄膜
...
Table 5 TFT-array 各層膜氣體
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Fig 4 AKT 15K PECVD 設備簡明圖
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Atomic Layer Deposition (ALD)
ALD (Atomic Layer Deposition) 可以算為CVD 的一種，將氣相前驅體脈沖交替地通入反應器，在沉積基底上化學吸附並反映，生產二元化合物薄膜的方法。
該過程與一般的CVD 過程類似，在ALD 中原子層沉積的表面反應存在自限制性，即化學吸附自限制(CS)和順次反應自限制(RS)，新一層原子膜的化學反應，直接與之前一層相關聯的，這種方式使每次反應只沉積一層原子。
除去自限制外，在ALD制程中，需要在讓母體材料，在反應到一定程度后分離，控制反應程度和最終成膜厚度。
在分離時，通過突然充入大量的分離氣體(Ar or N2)，除去腔體中過量的反應母體和反應所產生的副產物。保證薄膜能有序，且定量地在基底上沉淀。
Table 6 適用於ALD 制作的薄膜
...
與其它無機成膜方式相比，ALD 的優點是：
• 成膜均勻性好；
• 薄膜密度高
• 台階覆蓋性好
• 可以實現低溫沉積(T: 50℃~500 ℃)
較低的沉積速率限制了其在工業流水線生產上廣泛的運用。在Display 生產中其可以用於沉積致密的Al3O2 薄膜，並結合其它功能層實現對器件的封裝。