看了半天上周講的刻蝕工藝，整理幾個問題。
1、濕法刻蝕
濕法刻蝕比較早出現，利用液態的反應物來去掉特定的物質，一般是酸溶液，其實就是腐蝕掉一部分材料。
選擇性可以很好，但是各向異性會比較差。成本低且簡單，還可以很快（但控制性較弱）。
針對Si、二氧化硅、氮化硅、鋁等會有不同的溶液來做。
2、濕法刻蝕與硅晶向的關系
這里涉及到了反應的原理和硅的晶體結構，有點難了說實話。
3、大馬士革工藝
有時間詳細整理一下
4、干法刻蝕
干法刻蝕本質上還是化學刻蝕，干法這個名字很容易讓人以為是物理刻蝕，類似濺射一樣把材料打下來，但實際上一般不會這樣做刻蝕。因為雖然看似各向異性很強（其實並不一定很強），但損傷很大，且選擇性幾乎沒有。
干法刻蝕通俗來講其實是氣體刻蝕，用氣態反應物來反應掉材料。一般是利用等離子體來做，當然也可以不用等離子體，直接放氣體，但比較少見，且一般需要超高溫，對器件不好。所以只討論等離子體刻蝕。
等離子干法刻蝕的機制是： 氣體成分有離子、分子、自由基，離子不參與反應，自由基活性很高。離子被電場加速，而中性粒子靠擴散。
實際上，由於是氣體刻蝕，反應物到達表面有不同的角度，因此傾向於各向同性。
5、IEE 離子增強刻蝕
RIE（活性離子刻蝕）是IEE的一種，應用廣泛，離子密度低，能量也低，離子是輔助作用。
由於側壁保護機制，會有很好的各向異性。
6、等離子刻蝕中能量和氣壓的關系
低壓環境會提升平均自由程，會使得粒子撞擊的能量和方向性都更好，但是選擇性變差，反應會變慢，因為低壓下離子密度也低。
高壓下，平均自由程更低，傾向於各項同性化學刻蝕。
結論是，低壓情況下，盡量提高離子密度。
因此會產生HDP系統（高等粒子密度刻蝕）
RIE中，想要大的離子密度，必也會導致大的離子能量。但是在HDP中，兩個量可以獨立調節，可以產生大的離子通量且不會能量過大，導致襯底損傷。
因此最終的結果是，我們產生的離子束有大的粒子通量，小的能量，同時整體的壓強很小。
HDP之所以與RIE不同，在設備上是因為HDP使用的是雙源，一個控制通量，一個控制加速。RIE為單源。
具體的ECR和ICP就先不說了。
7、總結
濕法刻蝕、等離子刻蝕、反應離子刻蝕、HDP、濺射 幾種方法
選擇性從高到低
能量從低到高
壓強從高到低
各向異性從低到高