看了半天上周讲的刻蚀工艺，整理几个问题。
1、湿法刻蚀
湿法刻蚀比较早出现，利用液态的反应物来去掉特定的物质，一般是酸溶液，其实就是腐蚀掉一部分材料。
选择性可以很好，但是各向异性会比较差。成本低且简单，还可以很快（但控制性较弱）。
针对Si、二氧化硅、氮化硅、铝等会有不同的溶液来做。
2、湿法刻蚀与硅晶向的关系
这里涉及到了反应的原理和硅的晶体结构，有点难了说实话。
3、大马士革工艺
有时间详细整理一下
4、干法刻蚀
干法刻蚀本质上还是化学刻蚀，干法这个名字很容易让人以为是物理刻蚀，类似溅射一样把材料打下来，但实际上一般不会这样做刻蚀。因为虽然看似各向异性很强（其实并不一定很强），但损伤很大，且选择性几乎没有。
干法刻蚀通俗来讲其实是气体刻蚀，用气态反应物来反应掉材料。一般是利用等离子体来做，当然也可以不用等离子体，直接放气体，但比较少见，且一般需要超高温，对器件不好。所以只讨论等离子体刻蚀。
等离子干法刻蚀的机制是： 气体成分有离子、分子、自由基，离子不参与反应，自由基活性很高。离子被电场加速，而中性粒子靠扩散。
实际上，由于是气体刻蚀，反应物到达表面有不同的角度，因此倾向于各向同性。
5、IEE 离子增强刻蚀
RIE（活性离子刻蚀）是IEE的一种，应用广泛，离子密度低，能量也低，离子是辅助作用。
由于侧壁保护机制，会有很好的各向异性。
6、等离子刻蚀中能量和气压的关系
低压环境会提升平均自由程，会使得粒子撞击的能量和方向性都更好，但是选择性变差，反应会变慢，因为低压下离子密度也低。
高压下，平均自由程更低，倾向于各项同性化学刻蚀。
结论是，低压情况下，尽量提高离子密度。
因此会产生HDP系统（高等粒子密度刻蚀）
RIE中，想要大的离子密度，必也会导致大的离子能量。但是在HDP中，两个量可以独立调节，可以产生大的离子通量且不会能量过大，导致衬底损伤。
因此最终的结果是，我们产生的离子束有大的粒子通量，小的能量，同时整体的压强很小。
HDP之所以与RIE不同，在设备上是因为HDP使用的是双源，一个控制通量，一个控制加速。RIE为单源。
具体的ECR和ICP就先不说了。
7、总结
湿法刻蚀、等离子刻蚀、反应离子刻蚀、HDP、溅射 几种方法
选择性从高到低
能量从低到高
压强从高到低
各向异性从低到高