flash操作不同於sram，sram類似於在使用ram ip核（quartus/vivado）時生成的模塊直接對存儲操作，flash操作都是基於控制器的指令來的。flash在編程（寫數據）之前是需要對芯片擦除（也就是寫1）,因為編程操作只能把1變成0，而不能把原本是0的位變成1。
基本的命令：擦除命令/編程命令/讀取命令（讀取命令分為讀取數據和讀取寄存器）
基本操作格式:命令+[地址]+[數據] //地址和數據是可選的
flash芯片擦除時按扇區來划分的；讀取時一般芯片內部有一個buffer（大概幾十個字節的大小），也就是說一般每次讀取就是這個buffer的大小；program也是一樣有一個buffer（具體的大小取決於各個芯片）。
flash芯片還有一些寫保護功能（本測試不做驗證，測試主要這對操作接口）。
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flash分類：
並口flash
串行flash
norflash:容量小但速度快（這里的速度指讀取的速度，尤其並口flash的讀取和ram讀取幾乎沒有區別）/一般用於存儲系統，啟動代碼,bios之類
nandflash:容量大但速度低於nor/一般用於應用存儲數據
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測試使用的cypress的flash芯片：以S25FS128S/S25FS256S為例
扇區划分模式，選擇最簡單的一種，便於操作：
注意： 該芯片讀取時可以一個字節一個字節自累加讀取模式（可以一直讀完整個芯片再回到地址0繼續循環下去）：
另一種QuadIO Read一定要burst模式，也就是只能一組一組讀取，地址在組內累加循環。
cypress的芯片一般都有模型可以下載：https://www.cypress.com/verilog/s25fs256s-verilog
這個芯片有多種讀寫接口模式：命令+地址+數據
1-1-1（默認模式/基本的spi模式）/1-4-4（QuadIO模式）/4-4-4(QPI模式)
【芯片讀取數據時還可支持ddr操作，取決於具體的讀取命令】
【QPI模式和QuadIO模式的區別：兩者都需要開啟四線操作（CR1V[1]），但QPI模式還要開啟（CR2V[6]）;
需要說明，CR2V[6]一旦assert會同時assert CR1V[1]，CR1V[1] assert之后除非復位否則不會變為0】
芯片的工作狀態由4個8bits配置寄存器控制：CR1V/CR2V/CR3V/CR4V
所有操作要通過SR1V狀態寄存的查詢結果作為判斷成功結束的依據：
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注意：spi模式io用了兩個，qpi/quadio是4個。
注意：片選信號csn需要提前且滯后時鍾信號clk至少一個時鍾周期。
SDR 時序：
DDR時序：
關於寫使能是否在每次的擦除、編寫前都需要執行一次：
雖然在寄存器定義里只說和WREN\WRDI命令有關，但實際還是需要在每次執行擦寫前進行一次寫使能的。
S25FS128S：
S70FS01GS：
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以對一個扇區的操作來驗證flash芯片的基本功能，操作流程：
1、上電延時（等待芯片復位）->
2、設置工作模式（使能4字節模式）-> 1-1-1(SPI)
3、讀取配置寄存器的默認值（驗證基本的讀取功能及芯片的工作狀態）-> 1-1-1(SPI)
4、寫入配置寄存器（需要注意此步驟之前需要先執行寫使能操作/否則操作不成功）-> 1-1-1(SPI)
5、在新配置的模式下讀取芯片id(驗證當前設置是否成功)-> 4-4-4（QPI）
6、芯片指定扇區擦除-> 4-4-4（QPI）
7、第一次讀取驗證-> 4-4-4(QPI/SDR)
8、指定扇區編程-> 4-4-4（QPI）
9、指定扇區讀取及驗證-> 1-4-4（QaudIO/DDR）
10、進入芯片低功耗模式（測試完成）(1-1-1/SPI)
整個測試代碼分為兩部分：
底層的接口驅動（完成讀寫時序）+測試狀態機（完成測試流程）
參考：
https://www.cnblogs.com/liujinggang/p/9651170.html