基於stm32，通過更換數據存儲扇區提升w25q128flash芯片使用壽命

從芯片手冊中可以得到w25q128單個扇區的寫入次數約為10萬次。項目中有些數據需要經常的進行讀寫，如果這些數據只是寫在一個扇區，那么到達10W次后，可能就會面臨使用扇區損壞的風險，我的解決方案就是更換數據的存儲位置。

我這次的代碼是基於自己項目寫的，只有參考價值，不一定符合你的使用要求。

我的需求：

在機器工作過程中，每次動作都會記錄一次數據到flash芯片，然后將當前數據的最高地址寫入到特定的某個ADDR，供次寫入時，讀取出來，作為這條數據的起始地址。

這個位置的需要經常的讀寫，容易損壞，如果損壞了，那么以后歷史數據都無法正常寫入了。

解決方案：使用若干個相鄰的扇區，數據存儲到達一定的條數后，更換扇區繼續，開機后先判斷數據歷史數據位置的ADDR在哪個扇區。

判斷條數：（最高位地址-起始地址）/每條數據的位數=條數

u32 addr_highest=0x010000;    //寫入歷史數據最高位的地址的位置


u32 StartAddrToWrite_init(u32 addr_to_read)      //這里將addr_highest傳入
{    
    u8 i = 0;    
    u8 sector=1;
    u32 addr;
    u32 start_addr;
    u8 tmp_buffer[4]={0};
    
    
    for(sector=1;sector<4;sector++)  //從第一個扇區開始，讀取每個扇區
    {
         W25QXX_Read(tmp_buffer, addr_to_read, sizeof(tmp_buffer));  //讀取addr_to_read這個位置存的值，如果從來沒寫入過，是FFFFFFFF,寫入過就是這個扇區保存的的最高地址
        addr=((tmp_buffer[0]<<24)&0xFF000000)+((tmp_buffer[1]<<16)&0x00FF0000)
                    +((tmp_buffer[2]<<8)&0x0000FF00)+(tmp_buffer[3]&0x000000FF);
        if(addr==0XFFFFFFFF)      //沒寫過
        {
            if(sector==1)     //第一次
            {
                start_addr=BASEADDRESS;    //歷史數據寫入開始地址是自己設置的BASEADDRESS
            }
            else
            {
                start_addr=ReadStartAddrToWrite(addr_to_read-0x001000);  //讀取上個扇區保存的地址的值，每個扇區相差0x001000位
            }
            UpdateHighestDataAddr(start_addr,addr_to_read);     //賦值給后一個扇區
            break;        
        }
        else             //如果寫過了
        {
            addr = ReadStartAddrToWrite(addr_to_read);  //讀取最高位地址
            if((addr-BASEADDRESS)/(32*10)>=sector)      //判斷條數（一條32個字節），測試是使用10條，大於本扇區設定能存的最大條數
            {
                addr_to_read+=0x001000;     //換到下個扇區繼續讀取，判斷
            }
            else              //沒有超過本扇區最大能存的條數，繼續在本扇區使用，跳出for()循環
            {
                addr_to_read=addr_to_read;
                break;
            }        
        }
    }    

    return (addr_to_read);
} 

 

 

大概的思路就是這樣，如果你直接復制，因為里面嵌套了別的函數，那肯定不能用的了。