原文:flash芯片測試

flash操作不同於sram,sram類似於在使用ram ip核 quartus vivado 時生成的模塊直接對存儲操作,flash操作都是基於控制器的指令來的。flash在編程 寫數據 之前是需要對芯片擦除 也就是寫 ,因為編程操作只能把 變成 ,而不能把原本是 的位變成 。 基本的命令:擦除命令 編程命令 讀取命令 讀取命令分為讀取數據和讀取寄存器 基本操作格式:命令 地址 數據 地址和數 ...

2020-05-20 08:40 0 660 推薦指數:

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Nor Flash芯片特性分析

Nor Flash是Intel在1988年推出的非易失閃存芯片,可隨機讀取,擦寫時間長,可以擦寫1~100W次,支持XIP(eXecute In Place)。 本文以JS28F512M29EWH為例分析Nor Flash芯片的特性以及讀、擦、寫、查詢等操作的具體實現原理。 1、芯片特性 ...

Wed Jun 05 17:51:00 CST 2019 0 582
Nand flash 芯片工作原理

Nand flash 芯片型號為 Samsung K9F1208U0B,數據存儲容量為 64MB,采用塊頁式存儲管理。8 個 I/O 引腳充當數據、地址、命令的復用端口。 芯片內部存儲布局及存儲操作特點 一片 Nand flash 為一個設備(device), 其數據存儲 ...

Sat Jun 29 17:15:00 CST 2019 0 804
【STM32F4】讀取芯片ID和芯片Flash Size

首先聲明,手冊上給出的FlashSize地址是錯誤的,正確的應該是0x1FFF7A20,取高16位。確切說應該是(0x1FFF7A23,0x1FFF7A22兩個字節), 芯片的這96位ID是產品唯一身份標識。可以從特定的寄存器中讀出來。FlashSize表示內部flash的大小,也是固化在芯片 ...

Sun Oct 20 21:21:00 CST 2013 2 16970
幾種flash存儲芯片的用途和分類

1、IIC EEPROM------容量小,采用的是IIC通信協議;用於在掉電時,存系統配置參數,比如屏幕亮度等。常用芯片型號有 AT24C02、FM24C02、CAT24C02等,其常見的封裝多為DIP8,SOP8,TSSOP8等; 2、SPI NorFlash------容量略大,采用 ...

Fri Jan 05 23:30:00 CST 2018 0 11510
分治算法之芯片測試

VLSI芯片測試 1. 芯片測試 在講解具體的芯片測試的分治策略算法之前,先來了解芯片測試的意思。 1.1 一次測試的過程 如上圖,A、B為芯片測試方法為:將2片芯片(A和B)置於測試台上,互相進行測試測試報告是“好”或者“壞”,只取其一。 假設:好芯片的報告一定是正確的,壞 ...

Sat Nov 07 02:46:00 CST 2020 0 803
FLASH壽命測試

不是自己測得,摘自網絡。 測試flash型號是sst39vf160,由於測試時間的問題,只測試了一個扇區4個字節,用了整整一個星期才完成所有測試測試結果總結如下: 1、flash有壽命限制,sst39vf160手冊上說是10萬次,實驗片的實測卻超過80萬次。 2、每一個位的壽命 ...

Fri Jan 20 18:29:00 CST 2017 0 1323
用C++實現:芯片測試

問題描述   有n(2≤n≤20)塊芯片,有好有壞,已知好芯片比壞芯片多。   每個芯片都能用來測試其他芯片。用好芯片測試其他芯片時,能正確給出被測試芯片是好還是壞。而用壞芯片測試其他芯片時,會隨機給出好或是壞的測試結果(即此結果與被測試芯片實際的好壞無關)。   給出所有芯片 ...

Fri Apr 03 07:18:00 CST 2020 0 639
 
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