第三章 存儲器的擴展（二）——> 重要

3.2 主存儲器

四、只讀存儲器(ROM)————>了解（考試也可能會考）

1. 掩膜ROM（MROM）

• 行列選擇線交叉處有 MOS 管為“1”
• 行列選擇線交叉處無 MOS 管為“0”
  
  

2. PROM（一次性編程）

• 熔絲斷為 0
• 熔絲未斷為 1
  
  
  

3. EPROM（多次編程）
   （1）N 型溝道浮動柵 MOS 電路
   
   
   
4. EEPROM(多次性編程)
   電可擦寫、局部擦寫、全部擦寫
   
   
5. Flash Memory(閃存型存儲器)
   就是SSD（固態硬盤），U盤之類的

EPROM	價格便宜，集成度高
EEPROM	電可擦洗重寫

優點：比EEPROM 快，具有 RAM 功能
缺點：（1）一位的寫的次數有限制；（2）當SSD掛了里面的數據沒辦法備份

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五、存儲器與CPU的連接（自主命題考畫圖的頻率相當高）

1. 存儲容量的擴展

（1）位擴展（增加存儲字長）——>增加床位

 小例子：用多少片 1k × 4位存儲芯片組成 1k × 8位的存儲器
分析：1k = 2¹⁰ (有10根地址線)，8bit = 8根數據線

（2）字擴展（增加存儲字的數量）——>增加房間數，去蓋樓

 小例子：用多少片 1k × 8位存儲芯片組成 2k × 8位的存儲器
分析：需要讓A₁₀地址線作為片選線

（3）字、位擴展

 小例子：用多少片 1k × 4位 存儲芯片組成 4k × 8位 的存儲器
分析：其中的片選譯碼器用2-4譯碼器就可以。

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2. 存儲器與CPU連接

• 地址線的連接
• 數據線的連接
• 讀/寫命令線的連接
• 片選線的連接
• 合理選擇存儲芯片
• 其他：時序、負載

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3. 試題

  假設CPU有16跟地址引腳，8根數據引腳，並用MREQ作為訪存控制信號（低電平有效），用WR作讀/寫控制信號（低電平為寫，高電平為讀）。現有下列存儲芯片： 1k × 4位RAM、4k × 8位RAM、8k × 8位RAM、2k × 8位ROM、4k × 8位ROM、8k × 8位ROM，另外有74138譯碼器和各種門電路，滿足以下
（1）主存地址空間分配：6000H ~ 67FFH 為系統程序區、6800H ~ 6BFFH 為用戶程序區
（2）合理選用上述存儲芯片，說明各選幾片
（3）詳細畫出芯片片選邏輯


解析：系統程序區：ROM；用戶程序區：RAM
下圖為截圖思路及答案