1：單選題
下列幾種存儲器中，（）是易失性存儲器。
A： Cache
B： EPROM
C： Flash Memory
D： CD-ROM
2：單選題
以下哪種存儲器是目前已被淘汰的存儲器（）。
A： 半導體存儲器
B： 磁表面存儲器
C： 磁芯存儲器
D： 光盤存儲器
3：單選題
在存儲器分層結構中，存儲器從容量最大到最小的排列順序是（）。
A： 寄存器----主存----Cache----輔存
B： 主存----輔存----Cache----寄存器
C： 輔存----主存----Cache----寄存器
D： Cache----輔存----寄存器----主存
4：單選題
在存儲器分層體系結構中，存儲器從速度最快到最慢的排列順序是（）。
A： 寄存器----主存----Cache----輔存
B： 寄存器----主存----輔存----Cache
C： 寄存器----Cache----輔存----主存
D： 寄存器----Cache----主存----輔存
5：單選題
以下有關系統主存的敘述中，錯誤的是（）。
A： RAM是可讀可寫存儲器，ROM是只讀存儲器
B： ROM和RAM的訪問方式相同，都采用隨機訪問方式進行讀寫
C： 系統的主存由RAM和ROM組成
D： 系統的主存都是用DRAM芯片實現的
6：單選題
EPROM是指（ ）。
A： 讀寫存儲器
B： 掩膜只讀存儲器
C： 可編程的只讀存儲器
D： 可擦除可編程的只讀存儲器
7：單選題
多模塊交叉存儲器所以能以較高帶寬進行讀/寫，是因為采用了（ ）。
A： 高速芯片技術
B： 新型存儲器件
C： 流水技術
D： 相互獨立的存儲模塊和讀寫電路
8：單選題 ）
假定一台計算機的主存儲器最大可裝機容量為4GB，按字節編址，則該存儲器的MAR應為（）。
A： 16位
B： 32位
C： 48位
D： 64位
9：單選題
假定一個主存空間大小為1024MB，按字節編址，每次讀寫操作最多可以一次存取32位。不考慮其它因素，則存儲器地址寄存器MAR，和存儲器數據寄存器MDR的位數至少應分別為（）。
A： 30，8
B： 30，32
C： 28，8
D： 28，32
10：單選題
用存儲容量為16K×1位的存儲器芯片來組成一個64K×8位的存儲器，則在字方向和位方向上分別擴展了（）倍。
A： 4和2
B： 8和4
C： 2和4
D： 4和8
11：單選題
相聯存儲器是按（）進行尋址的存儲器。
A： 地址指定方式
B： 堆棧方式
C： 內容指定方式
D： 地址指定與堆棧
12：單選題
以下4種類型的半導體存儲器中，讀出數據傳輸率最高的是（）。
A： DRAM
B： SRAM
C： Flash Memory
D： EPROM
13：單選題
一個動態存儲器芯片的容量是16K×8位, 若采用地址復用技術，則該芯片需要的地址和數據引腳至少分別為（ ）。
A： 14，8
B： 7，8
C： 14，1
D： 7,1
14：單選題
某SRAM芯片，其容量為1024×4位，其地址和數據引腳的數目至少分別為（）。
A： 10，4
B： 5，4
C： 10，8
D： 5，8
15：單選題
某計算機字長16位，存儲容量是64KB，按字節編址，則它的尋址范圍是（）。
A： 0 ～(64K-1)
B： 0 ～(32K-1)
C： 0 ～(64KB-1)
D： 0 ～(32KB-1)
16：單選題
計算機的主存儲器容量為1GB，也就等於（）。
A： 2 的30次方個字節
B： 10 的30次方個字節
C： 2 的9次方個字節
D： 10 的9次方個字節
17：單選題
以下有關存儲器組織的敘述中，錯誤的是（）。
A： 存儲單元由若干個存放或1的記憶元件構成
B： 一個存儲單元有一個編號，就是存儲單元的地址
C： 存儲器編號總是從0開始
D： 同一個存儲器中，每個存儲單元的寬度可以不同，有8位、16位或32位不等，分別存放不同長度的數據和指令
18：單選題
以下有關半導體存儲器的敘述中，錯誤的是（ ）。
A： 半導體存儲器都采用隨機存取方式進行讀寫
B： ROM芯片屬於半導體隨機存儲器芯片
C： SRAM是半導體靜態隨機訪問存儲器，可用作cache
D： DRAM是半導體動態隨機訪問存儲器，可用作主存