DDR就是雙倍速率。
- 以1600MHz的內存條為例，X64的位寬，帶寬就是：1600MHz*2倍速率*64bit/8/1000=3.2*8=25.6GB/s;
- 以8Channel的Intel ICX處理器為例，帶寬可以達到8*25.6GB/s=204.8GB/s
- 以8Channel的AMD ROME處理器為例，帶寬可以達到8*25.6GB/s=204.8GB/s
- 以1333MHz的內存條為例，X64的位寬，帶寬就是：1333*2倍速率*64bit/8/1000=2.666*8=21.328GB/s;
- 以6Channel的Intel SKL處理器為例，帶寬可以達到6*21.328GB/s=127.968GB/s；
GDDR可以做到四倍速率。
- 以1750MHz的內存為例，單個顆粒X64的位寬，帶寬就是：1750MHz*4倍速率*64bit/8/1000=7*8=56GB/s；
- 以Nvidia Geforce GTX 1080 Ti為例，使用了11GB的GDDR5X，內存時鍾是2750MHz，4倍頻，內存頻率是11GHz，內存位寬是X352bit，那么內存帶寬為：2750MHz*4倍速率*352bit/8/1000=484GB/s；
- 以Nvidia Geforce RTX 2080 Ti為例，使用了11GB的GDDR6，內存時鍾是3500MHz，4倍頻，內存頻率是14GHz，內存位寬是X352bit，那么內存帶寬為：3500MHz*4倍速率*352bit/8/1000=616GB/s；
優點是帶寬比較高，功耗比較低。
缺點是，適合並發，不適合隨機訪問；時序復雜，工藝要求高；不適合配合CPU的Cache line的讀取。
HBM雙倍速率，但是堆疊提高位寬。
2013年是HBM，2016年是HBM2
優勢在堆疊，通過TSV和基底通信
每個die有2個128bit位寬的Channel
4層堆疊叫做4-Hi，帶寬可以達到4*2*128=1024bit
- HBM以500MHz的內存為例，單個顆粒的帶寬可達到：500Mhz*2倍頻*2Channel*128bit*4Die/8/1000=1GHz*1024bit/8=128GB/s；
- HBM2時鍾加倍，以500MHz的內存為例，單個顆粒的帶寬可以達到2*128GB/s=256GB/s
以Nvidia Tesla V100S為例（GPU和HBM之間使用硅中介進行2.5D的封裝）
應當是使用了4顆，帶寬為：1107MHz*2倍頻*4096bit/8/100=1113.568GB/s
HBM的優勢封裝比較小，堆疊設計。缺點是TSV工藝造成成本比較高。
