SRAM
SRAM的全稱是Static Rnadom Access Memory，翻譯過來即靜態隨機存儲器。這里的靜態是指這種存儲器只需要保持通電，里面的數據就可以永遠保持。但是當斷點之后，里面的數據仍然會丟失。由於SRAM的成本很高，所以像諸如CPU的高速緩存，才會采用SRAM。
DRAM
DRAM全稱是Dynamic Random Access Memory，翻譯過來即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。
Flash
Flash內存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，又名閃存，是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器，數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位，區塊大小一般為256KB到20MB。
閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種，EEPROM與閃存不同的是，EEPROM能在字節水平上進行刪除和重寫而閃存是按區塊擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快，所以被稱為Flash erase EEPROM，或簡稱為Flash Memory。
由於其斷電時仍能保存數據，閃存通常被用來保存設置信息，如在電腦的BIOS(基本輸入輸出程序)、PDA(個人數字助理)、數碼相機中保存資料等。另一方面，閃存不像RAM(隨機存取存儲器)一樣以字節為單位改寫數據，因此不能取代RAM。
NOR Flash與NAND Flash
NOR Flash和NAND Flash是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。
Intel於1988年首先開發出NOR Flash 技術，徹底改變了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory電可編程序只讀存儲器)和EEPROM(電可擦只讀存儲器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一統天下的局面。
緊接着1989年，東芝公司發表了NAND Flash 結構，強調降低每比特的成本，有更高的性能，並且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。
NOR Flash 的特點是芯片內執行（XIP ，eXecute In Place），這樣應用程序可以直接在Flash閃存內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR 的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響到它的性能。
NAND的結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，並且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在於Flash的管理和需要特殊的系統接口。通常讀取NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的寫入速度比NOR快很多，在設計中應該考慮這些情況。
DDR
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動態隨機存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。
SDRAM與DRAM相比多了一個同步接口，這個同步接口可以讓SDRAM與計算機系統總線進行同步。
DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對制造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。
目前DDR存儲器已經發展到了DDR4，智能手機以及電腦上都有使用。