編輯-Z MB10S參數描述 型號:MB10S 封裝:MBS-4 (SOP-4) 特性:小方橋、貼片橋堆 電性參數:1A 1000V 芯片材質:GPP 正向電流(Io):1A 芯片個數:4 正向電壓(VF):1.0V 芯片尺寸:50MIL 浪涌電流Ifsm:30A 漏電 ...
編輯 Z ASEMI整流橋MB S參數: 型號:MB S 最大重復峰值反向電壓 VRRM : V 最大有效值電壓 VRMS : V 最大直流阻斷電壓 VDC : V 最大平均正向輸出整流電流 IF AV : A 峰值正向浪涌電流 IFSM : A 每個元件的典型熱阻 ReJA : W 每個元件的典型結電容 Cj : pF 工作結和存儲溫度范圍 TJ, TSTG : to 最大瞬時正向壓降 VF : ...
2022-01-20 16:14 0 725 推薦指數:
編輯-Z MB10S參數描述 型號:MB10S 封裝:MBS-4 (SOP-4) 特性:小方橋、貼片橋堆 電性參數:1A 1000V 芯片材質:GPP 正向電流(Io):1A 芯片個數:4 正向電壓(VF):1.0V 芯片尺寸:50MIL 浪涌電流Ifsm:30A 漏電 ...
編輯-Z MB10S在MBS-4封裝里采用的4個芯片,其尺寸都是50MIL,是一款薄貼片整流橋。MB10S的浪涌電流Ifsm為30A,漏電流(Ir)為5uA,其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。MB10S采用GPP芯片材質,里面有4顆芯片組成。MB10S的電性參數是:正向電流(Io ...
編輯-Z MB10F是在MB10S系列基礎上根據用戶需求開發生產的新型號。從參數功能上看,MB10F就像是瘦身成功的MB10S,那么哪個比較好? ASEMI整流橋MB10S和MB10F詳細對比: 整流橋MB10S和MB10F的電氣參數相同:正向電流(Io)為1A,反向電壓為1000V ...
編輯-Z ASEMI整流橋MB6S參數: 型號:MB6S 最大重復峰值反向電壓(VRRM):600V 最大RMS電橋輸入電壓(VRMS):420V 最大直流阻斷電壓(VDC):600V 最大平均正向整流輸出電流(IF(AV)):1A 峰值正向浪涌電流(IFSM):30A 每個元件 ...
編輯-Z MB6S在MBS-4封裝里采用的4個芯片,其尺寸都是50MIL,是一款小方橋、貼片橋堆。MB6S的浪涌電流Ifsm為30A,漏電流(Ir)為5uA,其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。MB6S采用GPP芯片材質,里面有4顆芯片組成。MB6S的電性參數是:正向電流(Io)為1A ...
編輯-Z MB6S在MBS-4 (SOP-4)封裝里采用的4個芯片,其尺寸都是50MIL,是一款小方橋、貼片整流橋堆。MB6S的浪涌電流Ifsm為30A,漏電流(Ir)為10uA,其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。MB6S采用GPP芯片材質,里面有4顆芯片組成。MB6S的電性參數是:正向 ...
編輯-Z ASEMI整流橋MB10F參數: 型號:MB10F 最大重復峰值反向電壓(VRRM):1000F 最大有效值電壓(VRMS):700V 最大直流阻斷電壓(VDC):1000V 最大平均正向輸出整流電流(IF(AV)):1A 峰值正向浪涌電流(IFSM):35A 最大瞬時 ...
編輯-Z ASEMI整流橋ABS10參數: 型號:ABS10 最大循環峰值反向電壓(VRRM):1000V 最大有效值電壓(VRMS):700V 最大直流阻斷電壓(VDC):1000V 最大平均正向整流電流(I(AV)):1A 峰值正向浪涌電流(IFSM):30A 最大瞬時正向電壓 ...