3. 1 引言 在等離子體中, 情況遠比第 2 章所述的復雜; \(\boldsymbol{E}\) 場和 \(\boldsymbol{B}\) 場不能事先規定, 而 應由帶電粒子本身的位置和運動來決定. 我們必須解一個自恰問題 (self-consistent problem), 即找出 ...
引言 等離子體廣泛存在於宇宙中 在地球外部,恆星的內部及大氣層 氣態星雲和大量的星際氫都處於等離子體狀態,因此,說宇宙中物質的 以等離子體狀態存在 也就是以帶電氣體的形式存在,一點都不誇張。因為由於高溫它們的原子離解成正離子和負電子。 在地球內部,也可以看到許多等離子體現象,如閃電 北極光 火箭尾焰 日光燈等,只是由於它們或被封閉在容器中 或存在的時間短暫,才不會對人類產生大的影響。但有時還是給人 ...
2021-11-28 21:27 0 1382 推薦指數:
3. 1 引言 在等離子體中, 情況遠比第 2 章所述的復雜; \(\boldsymbol{E}\) 場和 \(\boldsymbol{B}\) 場不能事先規定, 而 應由帶電粒子本身的位置和運動來決定. 我們必須解一個自恰問題 (self-consistent problem), 即找出 ...
4. 1 波的表示法 用傅里葉分析法能將任何一種流體的周期性運動分成具有不同頻率 \(\omega\) 和波長 \(\lambda\) 的正弦振盪的疊加. 這些分量中的任何一個都是一種簡單的波. 在 ...
【轉】http://www.naura.com/index.php/innovate/news_art/1185.html 1. Plasma:廣泛應用而又復雜的物理過程 等離子體刻蝕在集成電路制造中已有40余年的發展歷程,自70年代引入用於去膠,80年代成為集成電路領域成熟的刻蝕技術 ...
摘自《真空鍍膜技術》--張以忱 一、直流放電的特性 1、暗光放電(A點-B點):開始給陰極施加負電壓-->放電電流密度較小,僅為10^-16到10^-14(A/cm2) 2 ...
摘自《等離子體放電原理與材料處理》1.3.1 摘自《等離子體蝕刻及其在大規模集成電路制造中的應用》2.3.1 ...
以下摘自《CO2激光驅動錫靶產生極紫外光源的實驗研究》 一、EUV簡介 在下一代光刻機光源的候選名單中,最受大家關注的是,離子體輻射極紫外光(EUV: extreme ultraviolet),極紫外光刻技術能夠使特征尺寸小到50nm以內。 某些靶材的等離子體輻射出EUV ...
轉自北方華創官網:http://www.naura.com/index.php/innovate/news_art/1186.html 本文介紹了脈沖等離子體技術在干法刻蝕領域的應用背景,從半導體制程工藝需求層面講述了納米量級的刻蝕制程對等離子體參數的需求。重點對脈沖等離子體工作機制、脈沖匹配 ...
摘自《等離子體蝕刻及其在大規模集成電路制造中的應用》2.3.4 遠程等離子源也稱為遠程高密度等離子發生器,它是半導體、芯片制造過程中的核心裝備。它用離化后的氟來清洗沉積在芯片結構內部的硅粉塵。在半導體、芯片等制程中,隨着時間的增加,在芯片內部和表面都會沉積 ...