原文:10N60-ASEMI品質大功率場效應管

編輯:ll N ASEMI品質大功率場效應管 型號: N 品牌:ASEMI 封裝:TO 電流: A 電壓: V 正向電壓: 引腳數量: 芯片個數: 芯片尺寸: 漏電流: 特性:大電流 場效應管 工作溫度: N 的電性參數:最大正向平均電流 A 最大反向峰值電壓 V 場效應管工作原理用一句話說,就是 漏極 源極間流經溝道的ID,用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID 。更正確地說,ID ...

2021-10-27 11:05 0 108 推薦指數:

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25N120-ASEMI大功率場效應管25A 1200V

編輯:ll 25N120-ASEMI大功率場效應管25A 1200V 型號:25N120 品牌:ASEMI 封裝:TO-247 電性參數:25A 1200V 正向電流:25A 反向耐壓:1200V 引腳數量:3 芯片個數: 芯片尺寸: 封裝尺寸:如圖 特性:大電流、MOS ...

Tue Oct 26 19:03:00 CST 2021 0 104
7N60-ASEMI場效應管7N60

編輯-Z 7N60在TO-220封裝里引出3個引腳,是一款低功耗場效應管。7N60的脈沖二極管正向電流(ISM)為28A,漏源擊穿電流(IDSS)為1uA,其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。7N60的柵源電壓(VGS)為±30V,導通電阻RDS(on)為1.2Ω。7N60的電性參數 ...

Fri Dec 17 01:19:00 CST 2021 0 121
ASEMI場效應管7N60,7N60詳細參數,7N60應用領域

編輯-Z 7N60詳細參數: 型號:ASEMI場效應管7N60 漏源電壓(VDSS):600V 柵源電壓(VGSS):±30V 持續漏極電流(ID):7A 脈沖漏極電流(IDM):28A 雪崩電流(IAR):7A 工作結點和存儲溫度范圍(TJ,TSTG):-55 to +150 ...

Mon Dec 27 23:51:00 CST 2021 0 1206
ASEMI場效應管7N80怎么測量好壞

編輯-Z ASEMI場效應管7N80怎么測量好壞?將萬用表撥到“RX1K”位置,將電調調到零。7N80的字面朝向自身,從左到右:G(柵極)、D(漏極)、S(源極)。先將黑色表筆接G極,再將紅色表筆分別接觸D極和S極,然后交換表筆,再進行測量。如果這兩次測量的結果都使萬用表的指針不動,那么初步判斷 ...

Fri Dec 17 01:20:00 CST 2021 0 120
15N120-ASEMI場效應管15N120

編輯-Z 15N120在TO-220封裝里引出3個引腳,是一款低功耗場效應管。15N120的二極管浪涌正向電流(IFM)為45A,G-E漏電流(IGES)為100nA,其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。15N120的柵極-發射極電壓(VGES)為±20V。15N120的電性參數是:二極管 ...

Sat Dec 18 01:15:00 CST 2021 0 160
MOS管25N120參數,ASEMI場效應管25N120應用

編輯-Z 25N120在TO-220封裝里引出3個引腳,是一款低功耗場效應管。25N120的脈沖二極管正向電流(IFM)為150A,G-E漏電流(IGES)為250nA,其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。25N120的柵極-發射極電壓(VGES)為±20V。25N120的電性參數 ...

Sun Dec 19 00:26:00 CST 2021 0 953
40N120-ASEMI低功耗場效應管40N120

編輯-Z 40N120在TO-220封裝里引出3個引腳,是一款低功耗場效應管。40N120的脈沖集電極電流(ICM)為160A,G-E漏電流(IGES)為250nA,其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。40N120的柵極-發射極電壓(VGES)為±25V。40N120的電性參數是:集電極 ...

Sat Dec 04 00:59:00 CST 2021 0 747
ASEMI場效應管40N120的參數特點和作用優勢

編輯-Z 40N120參數描述 型號:40N120 封裝:TO-220 特性:低功耗場效應管 電性參數:40A 1200V 集電極電流(IC):40A 脈沖集電極電流(ICM):160A 集電極-發射極電壓(VCES):1200V 柵極-發射極電壓(VGES):±25V G-E ...

Sun Dec 19 00:27:00 CST 2021 0 1487
 
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