【轉】等離子體技術【二】--刻蝕方式分類
【轉】http://www.naura.com/index.php/innovate/news_art/1185.html 1. Plasma：廣泛應用而又復雜的物理過程 等離子體刻蝕在集成電路制造中已有40余年的發展歷程，自70年代引入用於去膠，80年代成為集成電路領域成熟的刻蝕技術 ...
原文：等離子體技術【十六】--EUV激光器
以下摘自 CO 激光驅動錫靶產生極紫外光源的實驗研究 一 EUV簡介 在下一代光刻機光源的候選名單中，最受大家關注的是，離子體輻射極紫外光 EUV: extreme ultraviolet ，極紫外光刻技術能夠使特征尺寸小到 nm以內。 某些靶材的等離子體輻射出EUV光，在某個波段會出現峰值，比如氙靶輻射的峰值在 . nm，而錫靶輻射的峰值在 . nm。 光刻機光源波長選擇為 . nm，主更是因為 ...
2021-07-29 10:54 0 133 推薦指數：
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【轉】等離子體技術【一】--脈沖技術
轉自北方華創官網：http://www.naura.com/index.php/innovate/news_art/1186.html 本文介紹了脈沖等離子體技術在干法刻蝕領域的應用背景，從半導體制程工藝需求層面講述了納米量級的刻蝕制程對等離子體參數的需求。重點對脈沖等離子體工作機制、脈沖匹配 ...
等離子體技術【十二】--直流DC電源及其在等離子應用中的問題
摘自《真空鍍膜技術》--張以忱 一、直流放電的特性 1、暗光放電（A點-B點）：開始給陰極施加負電壓-->放電電流密度較小，僅為10^-16到10^-14(A/cm2) 2、Townsend放電區（C點-D點）：電壓繼續增大，進入湯森放電區。 特點：電壓受電源輸出阻抗 ...
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摘自《等離子體放電原理與材料處理》1.3.1 摘自《等離子體蝕刻及其在大規模集成電路制造中的應用》2.3.1 ...
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摘自《等離子體蝕刻及其在大規模集成電路制造中的應用》2.3.4 遠程等離子源也稱為遠程高密度等離子發生器，它是半導體、芯片制造過程中的核心裝備。它用離化后的氟來清洗沉積在芯片結構內部的硅粉塵。在半導體、芯片等制程中，隨着時間的增加，在芯片內部和表面都會沉積 ...
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1、阻抗匹配的作用 高能量射頻源被用於等離子體沉積和光刻過程中。在不同的生產過程中，等離子體室阻抗的變化十分復雜。為了提高集成電路品質,需要在工作期間保證等離子體均勻穩定。而有關實驗證明，系統的輸入功率直接影響等離子體的濃度和壓力。因此，從功率角度來看，需要穩定系統的輸入功率。換句話 ...
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