原文:等離子體技術【八】--RPS遠程等離子蝕刻機台

摘自 等離子體蝕刻及其在大規模集成電路制造中的應用 . . 遠程等離子源也稱為遠程高密度等離子發生器,它是半導體 芯片制造過程中的核心裝備。它用離化后的氟來清洗沉積在芯片結構內部的硅粉塵。在半導體 芯片等制程中,隨着時間的增加,在芯片內部和表面都會沉積大量的硅粉塵。遠程等離子源能夠提供大量離化氟,對真空條件下的各類結構體進行蝕刻清選。由於遠程等離子清洗方式是在等離子發生器與芯片制程室分離的狀態下, ...

2021-07-14 09:51 0 151 推薦指數:

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【轉】等離子體技術【二】--刻蝕方式分類

【轉】http://www.naura.com/index.php/innovate/news_art/1185.html 1. Plasma:廣泛應用而又復雜的物理過程 等離子體刻蝕在集成電路制造中已有40余年的發展歷程,自70年代引入用於去膠,80年代成為集成電路領域成熟的刻蝕技術 ...

Fri Jul 09 23:33:00 CST 2021 0 452
等離子體技術【十二】--直流DC電源及其在等離子應用中的問題

摘自《真空鍍膜技術》--張以忱 一、直流放電的特性 1、暗光放電(A點-B點):開始給陰極施加負電壓-->放電電流密度較小,僅為10^-16到10^-14(A/cm2) 2、Townsend放電區(C點-D點):電壓繼續增大,進入湯森放電區。 特點:電壓受電源輸出阻抗 ...

Wed Jul 21 01:26:00 CST 2021 0 137
【轉】等離子體技術【一】--脈沖技術

轉自北方華創官網:http://www.naura.com/index.php/innovate/news_art/1186.html 本文介紹了脈沖等離子體技術在干法刻蝕領域的應用背景,從半導體制程工藝需求層面講述了納米量級的刻蝕制程對等離子體參數的需求。重點對脈沖等離子體工作機制、脈沖匹配 ...

Fri Jul 09 23:34:00 CST 2021 0 329
等離子體技術【十六】--EUV激光器

以下摘自《CO2激光驅動錫靶產生極紫外光源的實驗研究》 一、EUV簡介   在下一代光刻機光源的候選名單中,最受大家關注的是,離子輻射極紫外光(EUV: extreme ultraviolet),極紫外光刻技術能夠使特征尺寸小到50nm以內。   某些靶材的等離子體輻射出EUV ...

Thu Jul 29 18:54:00 CST 2021 0 133
【筆記】第三章 作為流體的等離子體

3. 1 引言 在等離子體中, 情況遠比第 2 章所述的復雜; \(\boldsymbol{E}\) 場和 \(\boldsymbol{B}\) 場不能事先規定, 而 應由帶電粒子本身的位置和運動來決定. 我們必須解一個自恰問題 (self-consistent problem), 即找出 ...

Mon Dec 06 00:53:00 CST 2021 0 1194
【筆記】第一章 等離子體的定義

引言 等離子體廣泛存在於宇宙中 在地球外部,恆星的內部及大氣層、氣態星雲和大量的星際氫都處於等離子體狀態,因此,說宇宙中物質的99 %以等離子體狀態存在——也就是以帶電氣體的形式存在,一點都不誇張。因為由於高溫它們的原子離解成正離子和負電子。 在地球內部,也可以看到許多等離子體 ...

Mon Nov 29 05:27:00 CST 2021 0 1382
等離子體技術【十五】--自動阻抗匹配器

1、阻抗匹配的作用     高能量射頻源被用於等離子體沉積和光刻過程中。在不同的生產過程中,等離子體室阻抗的變化十分復雜。為了提高集成電路品質,需要在工作期間保證等離子體均勻穩定。而有關實驗證明,系統的輸入功率直接影響等離子體的濃度和壓力。因此,從功率角度來看,需要穩定系統的輸入功率。換句話 ...

Thu Jul 22 17:41:00 CST 2021 0 276
 
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